[發(fā)明專利]一種引線框架改善封裝的方法及引線框架

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• 申請日: 2017-06-20
• 公開（公告）號: CN107369624A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發(fā)明（設計）人: 王玲;彭林源
• 申請（專利權(quán)）人: 南京矽邦半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 呂朦

1.一種引線框架改善封裝的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：確定待改善的引線框架，在引線框架上分出成品區(qū)域和非成品區(qū)域，所述非成品區(qū)域位于成品區(qū)域的外圍，所述成品區(qū)域用于放置成品；

S2：所述成品區(qū)域與非成品區(qū)域之間有過渡區(qū)域，所述過渡區(qū)域的背面增加半蝕刻設計，過渡區(qū)域為切割刀軌跡，過渡區(qū)域的寬度大于切割刀的厚度；

S3：在非成品區(qū)域增加全蝕刻和半蝕刻設計：在非成品區(qū)域確定非成品區(qū)域的注塑區(qū)域和非成品區(qū)域的非注塑區(qū)域，所述非成品區(qū)域的注塑區(qū)域位于非成品區(qū)域的非注塑區(qū)域與成品區(qū)域之間，在非成品區(qū)域的非注塑區(qū)域的正面增加半蝕刻設計，在非成品區(qū)域的注塑區(qū)域的正面增加全蝕刻設計；

S4：所述成品區(qū)域包括多個成品，相鄰成品之間有連接筋，所述連接筋的位置為切割刀軌跡，在所述連接筋的背面增加半蝕刻設計。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架改善封裝的方法，其特征在于，步驟S4中，所述成品為正方形，所述連接筋為十字交叉狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的引線框架改善封裝的方法，其特征在于，步驟S3中，所述非成品區(qū)域的注塑區(qū)域布置有多個方形注塑塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的引線框架改善封裝的方法，其特征在于，步驟S3中，所述非成品區(qū)域的注塑區(qū)域設有多個矩形全蝕刻區(qū)域，矩形全蝕刻區(qū)域包括大矩形全蝕刻區(qū)域和小矩形全蝕刻區(qū)域，部分大矩形全蝕刻區(qū)域沿連接筋的延長線分布，部分大矩形全蝕刻區(qū)域圍繞在成品區(qū)域外圍；所述小矩形全蝕刻區(qū)域位于過渡區(qū)域的一側(cè)，過渡區(qū)域的另一側(cè)排列有成品的引腳，小矩形全蝕刻區(qū)域與成品上相鄰引腳的間隙對齊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線框架，其特征在于，所述小矩形全蝕刻區(qū)域的長度為成品引腳的長度，小矩形全蝕刻區(qū)域的寬度為成品引腳的間距。

6.一種引線框架，其特征在于，包括成品區(qū)域和非成品區(qū)域，所述非成品區(qū)域位于成品區(qū)域的外圍，所述成品區(qū)域用于放置成品，成品區(qū)域與非成品區(qū)域之間有過渡區(qū)域，所述過渡區(qū)域為半蝕刻，過渡區(qū)域的寬度大于切割刀的厚度；所述非成品區(qū)域包括非成品區(qū)域的注塑區(qū)域和非成品區(qū)域的非注塑區(qū)域，非成品區(qū)域的注塑區(qū)域位于非成品區(qū)域的非注塑區(qū)域與成品區(qū)域之間，非成品區(qū)域的非注塑區(qū)域的正面為半蝕刻，非成品區(qū)域的注塑區(qū)域的正面包括多個矩形全蝕刻區(qū)域；成品區(qū)域包括多個成品，相鄰成品之間有連接筋，所述連接筋的位置為切割刀軌跡，所述連接筋的背面為半蝕刻。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的引線框架，其特征在于，所述非成品區(qū)域的注塑區(qū)域設有多個矩形全蝕刻區(qū)域，矩形全蝕刻區(qū)域包括大矩形全蝕刻區(qū)域和小矩形全蝕刻區(qū)域，部分大矩形全蝕刻區(qū)域沿連接筋的延長線分布，部分大矩形全蝕刻區(qū)域圍繞在成品區(qū)域外圍；所述小矩形全蝕刻區(qū)域排列于過渡區(qū)域的一側(cè)，過渡區(qū)域的另一側(cè)排列有成品的引腳，小矩形全蝕刻區(qū)域與成品上相鄰引腳的間隙對齊。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架，其特征在于，所述小矩形全蝕刻區(qū)域的長度為成品引腳的長度，小矩形全蝕刻區(qū)域的寬度為成品引腳的間距。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7或8所述的引線框架，其特征在于，所述非成品區(qū)域的非注塑區(qū)域的半蝕刻厚度為引線框架厚度的1/3。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7或8所述的引線框架，其特征在于，所述過渡區(qū)域的半蝕刻設計深度為框架厚度的1/2；所述連接筋的半蝕刻設計深度為框架厚度的1/2。