[發(fā)明專利]一種透明導(dǎo)電薄膜及采用晶界印刷法制備該薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710491081.3
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN108206070B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林智杰;林錦新
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00
• 代理公司: 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞;牛艷玲

1.一種透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜包括透明基底和在其上的透明氧化物層，以及在所述透明氧化物層上的晶界處形成的金屬網(wǎng)格；

所述透明導(dǎo)電薄膜是采用晶界印刷法制備的，具體地，所述制備方法包括以下步驟：

步驟1：在透明基板上沉積透明氧化物薄膜；

步驟2：用腐蝕液對步驟1的透明氧化物薄膜進(jìn)行晶界腐刻；

步驟3：將金屬墨水置于步驟2的腐刻后的透明氧化物薄膜上，加熱，制備得到透明導(dǎo)電薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述透明氧化物層的厚度為20~10000nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格的孔徑為20~50000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格的網(wǎng)線寬度為1~30000nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格的網(wǎng)線厚度為1~3000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述透明氧化物層選自氧化鋅鋁層、氧化鋅層、氧化鈦層、氧化銦錫層和CuAlO₂層中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜的方阻為0.1~200Ω/sq。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜的透過率為20~80%。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，步驟1中，所述的透明基板選自玻璃、石英和透明有機(jī)塑料薄膜中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述的透明基板選自柔性透明有機(jī)塑料薄膜，所述的柔性透明有機(jī)塑料薄膜選自聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚酰亞胺（PI）或聚對苯二甲酸乙二酯（PET）。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，步驟1中，所述的沉積包括磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、化學(xué)浴、蒸鍍或旋涂。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，步驟2中，所述的腐蝕液選自0.001~1mol/L氫氟酸、含0.001~1mol/L鹽酸的過氧化氫或0.001~1mol/L氨水。

13.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，步驟2中，所述的晶界腐刻的時(shí)間為0.1~300s。

14.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，步驟2中，所述的晶界腐刻后還包括用水和乙醇交替清洗步驟。

15.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，步驟3中，所述的金屬墨水是包括金、銀、銅、鎳、鉑和鈀中的至少一種金屬的導(dǎo)電墨水。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，步驟3中，所述的金屬墨水是包括金、銀、銅、鎳、鉑和鈀中的至少一種金屬納米顆粒的導(dǎo)電墨水和/或包括金、銀、銅、鎳、鉑和鈀中的至少一種金屬有機(jī)配合物的無顆粒導(dǎo)電墨水。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述金屬有機(jī)配合物中的有機(jī)配體選自胺配體、檸檬酸配體、氰酸配體和酒石酸配體中的至少一種。