[發(fā)明專利]一種利用石墨烯和氮化硼納米片制備硼碳氮納米片的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710490850.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107215852A | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郝霄鵬;馬福坤;吳擁中;邵永亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01B21/082 | 分類號(hào): | C01B21/082;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司37219 | 代理人: | 王緒銀 |
| 地址: | 250199 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 石墨 氮化 納米 制備 硼碳氮 方法 | ||
1.一種利用石墨烯和氮化硼納米片制備硼碳氮納米片的方法,其特征是,包括以下步驟:
(1)將石墨烯和BNNSs按摩爾百分比為1~99%:99~1%的比例混合均勻,形成混合物;
(2)將混合物在氣氛保護(hù)或者真空環(huán)境下,800℃~1200℃反應(yīng)0.5~12小時(shí)。
(3)待反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至室溫,在空氣中400℃~600℃煅燒4~8小時(shí),待煅燒產(chǎn)物冷卻至室溫后,清洗干燥處理,即得到硼碳氮納米片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用石墨烯和氮化硼納米片制備硼碳氮納米片的方法,其特征是,所述步驟(2)中的氣氛保護(hù)是指氮?dú)饣驓鍤獗Wo(hù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用石墨烯和氮化硼納米片制備硼碳氮納米片的方法,其特征是,步驟(2)中的真空環(huán)境是相對(duì)壓力-0.1MPa至-0.001Mpa的真空環(huán)境。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用石墨烯和氮化硼納米片制備硼碳氮納米片的方法,其特征是,步驟(2)中的升溫速度為5℃/分鐘~10℃/分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用石墨烯和氮化硼納米片制備硼碳氮納米片的方法,其特征是,步驟(3)中的升溫速度為5℃/分鐘~10℃/分鐘。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東大學(xué),未經(jīng)山東大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710490850.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





