[發明專利]一種太陽能多晶硅的定向凝固生長裝置及方法

在審

• 申請號: 201710488866.5
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN109112618A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 余剛;丁一;王劍;姚玖洪
• 申請（專利權）人: 鎮江仁德新能源科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 李帥

1.一種太陽能多晶硅的定向凝固生長裝置，其特征在于：包括預熔區和生長區；

所述預熔區包括預熔坩堝(1)，包裹于預熔坩堝(1)外圍的第一保溫層(2)和包裹于第一保溫層(2)外圍的第一感應加熱器(3)；

所述生長區包括漏斗(4)，漏斗(4)下方設置生長坩堝(13)，所述生長坩堝(13)外圍包裹有第二保溫層(9)，所述第二保溫層(9)外圍包裹有第二感應加熱器(10)。

2.根據權利要求1所述的一種太陽能多晶硅的定向凝固生長裝置，其特征在于：包括帶V形槽的支架(5)，所述漏斗(4)放置于帶V形槽的支架(5)的V形槽內。

3.根據權利要求2所述的一種太陽能多晶硅的定向凝固生長裝置，其特征在于：所述帶V形槽的支架(5)與下方的生長坩堝(13)之間設置有支撐板(7)。

4.根據權利要求2所述的一種太陽能多晶硅的定向凝固生長裝置，其特征在于：所述漏斗(4)與帶V形槽的支架(5)的接觸面設置有第二保溫層(5)。

5.根據權利要求1所述的一種太陽能多晶硅的定向凝固生長裝置，其特征在于：所述第二保溫層(9)與第二感應加熱器(10)之間設置有導熱板(12)。

6.根據權利要求1所述的一種太陽能多晶硅的定向凝固生長裝置，其特征在于：所述生長區底部設置有隔熱底板(11)。

7.根據權利要求1-6任一所述的一種太陽能多晶硅的定向凝固生長裝置實現的太陽能多晶硅的定向凝固生長方法，其特征在于：具體步驟如下：將硅料放入預熔區的預熔坩堝內熔化成硅液后，倒入加有保溫裝置的生長坩堝中，通過控制生長坩堝周圍的第二感應加熱器的加熱溫度，使硅液(8)在設定的溫度梯度下由底部開始逐漸結晶。