[發明專利]PSVA像素結構有效
| 申請號： | 201710488487.6 | 申請日： | 2017-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN107085330B | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發明（設計）人： | 鄧竹明 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂;劉巍 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | psva 像素 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種PSVA像素結構，其特征在于，包括：上基板和與上基板相對設置的下基板，該上基板上設有公共電極，該下基板上設有鈍化層、設置于該鈍化層上的像素電極以及設置于該像素電極下方的金屬層；該鈍化層通過圖形化形成有凸起部、側壁以及溝槽底部，該像素電極僅覆蓋于鈍化層的凸起部以及溝槽底部；
在圖形化該下基板上的鈍化層時，在該鈍化層的溝槽底部形成底切結構。
2.如權利要求1所述的PSVA像素結構，其特征在于，該底切結構通過調節鈍化層的刻蝕液配方實現。
3.如權利要求1所述的PSVA像素結構，其特征在于，該底切結構通過選擇具有適合的曝光特性的材料作為鈍化層來實現。
4.如權利要求1所述的PSVA像素結構，其特征在于，該鈍化層對應于該金屬層設有過孔，該像素電極經由該過孔與該金屬層相連接。
5.如權利要求1所述的PSVA像素結構，其特征在于，該公共電極為平面型的公共電極。
6.如權利要求1所述的PSVA像素結構，其特征在于，該公共電極的材料為ITO。
7.如權利要求1所述的PSVA像素結構，其特征在于，該像素電極的材料為ITO。
8.如權利要求1所述的PSVA像素結構，其特征在于，該鈍化層的材料為氮化硅。
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