[發(fā)明專利]PSVA像素結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710488487.6
• 申請(qǐng)日: 2017-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN107085330B
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧竹明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;劉巍

本發(fā)明涉及一種PSVA像素結(jié)構(gòu)。該P(yáng)SVA像素結(jié)構(gòu)包括：上基板和與上基板相對(duì)設(shè)置的下基板，該上基板上設(shè)有公共電極，該下基板上設(shè)有鈍化層、設(shè)置于該鈍化層上的像素電極以及設(shè)置于該像素電極下方的金屬層；該鈍化層通過圖形化形成有凸起部、側(cè)壁以及溝槽底部，該像素電極僅覆蓋于鈍化層的凸起部以及溝槽底部。本發(fā)明的PSVA像素結(jié)構(gòu)中，鈍化層的溝槽側(cè)壁無像素電極，去除橫向電場，提高液晶效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種PSVA像素結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

主動(dòng)式薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)近年來得到了飛速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。就目前主流市場上的TFT-LCD顯示面板而言，可分為三種類型，分別是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶顯示器相對(duì)其他種類的液晶顯示器具有極高的對(duì)比度，在大尺寸顯示方面具有非常廣的應(yīng)用。

隨著技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了相關(guān)的改進(jìn)，聚合物穩(wěn)定垂直配向(polymer-stabilizedvertical alignment，PSVA)廣視角技術(shù)能夠使液晶顯示面板具有較快的響應(yīng)時(shí)間、及穿透率高等優(yōu)點(diǎn)，其特點(diǎn)是在配向膜表面形成聚合物突起，從而使液晶分子具有預(yù)傾角。一般的PSVA像素結(jié)構(gòu)是在陣列基板上的用于溝道保護(hù)的鈍化層(Passivation)做完后，將沉積在其上的像素電極做圖案化處理。

如圖1A及圖1B所示，圖1A為傳統(tǒng)的PSVA像素立體示意圖，圖1B為傳統(tǒng)的PSVA像素下基板剖面示意圖，傳統(tǒng)的PSVA像素包括上基板10和與上基板10相對(duì)設(shè)置的下基板20，上基板10上設(shè)有平面型的公共電極11，下基板20上設(shè)有鈍化層21、設(shè)于鈍化層21上的像素電極22及設(shè)置于像素電極22下方的金屬層23，該像素電極22具有“米字型”圖案。

如圖2A，圖2B及圖2C所示，圖2A為現(xiàn)有一種新型PSVA像素立體示意圖，圖2B為現(xiàn)有一種新型PSVA像素下基板剖面示意圖，圖2C為現(xiàn)有一種新型PSVA像素的電場示意圖。該新型PSVA像素包括上基板210和與上基板210相對(duì)設(shè)置的下基板220，上基板210上設(shè)有平面型的公共電極211，下基板220上設(shè)有鈍化層221、設(shè)置于鈍化層221上的像素電極222以及設(shè)置于像素電極222下方的金屬層223。新型的PSVA像素通過對(duì)鈍化層221(Passivation layer，PV)進(jìn)行圖形化，凸起和凹陷交錯(cuò)出現(xiàn)，形成魚骨形狀的四疇結(jié)構(gòu)，ITO(氧化銦錫)像素電極222為整面覆蓋。相較于傳統(tǒng)的PSVA像素，新型PSVA像素具有高穿透率、對(duì)ITO像素電極222的線寬/間隔(Line/Space)不敏感等優(yōu)勢。

如圖2C所示，圖中帶箭頭線條表示上基板210和下基板220之間的電場，鈍化層221的溝槽形成后，ITO像素電極222為整面覆蓋；如上圖所示，溝槽側(cè)壁有ITO像素電極222，該ITO像素電極222與上基板210上的平面型的ITO公共電極211形成的電場有橫向分量——以帶箭頭曲線表示，該橫向分量將影響液晶的一致性排列，降低液晶效率。

因此，現(xiàn)有的新型PSVA像素結(jié)構(gòu)中，ITO像素電極在鈍化層凸起部、側(cè)壁、溝槽底部為整面連續(xù)覆蓋，側(cè)壁上的ITO像素電極與上基板的ITO公共電極形成橫向電場。這樣的優(yōu)點(diǎn)是制程簡單，缺點(diǎn)是液晶排列一致性差，液晶效率低，亟需改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種PSVA像素結(jié)構(gòu)，提高液晶效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種PSVA像素結(jié)構(gòu)，包括：上基板和與上基板相對(duì)設(shè)置的下基板，該上基板上設(shè)有公共電極，該下基板上設(shè)有鈍化層、設(shè)置于該鈍化層上的像素電極以及設(shè)置于該像素電極下方的金屬層；該鈍化層通過圖形化形成有凸起部、側(cè)壁以及溝槽底部，該像素電極僅覆蓋于鈍化層的凸起部以及溝槽底部。