[發明專利]半導體結構及其形成方法、測量電阻的方法

有效

• 申請號: 201710486010.4
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN109119350B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 楊曉蕾
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544;G01R27/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括器件區和測試區；

位于所述器件區襯底上的多個分立的器件柵極結構，位于相鄰器件柵極結構之間的器件源漏摻雜區；

連接所述器件源漏摻雜區的器件源漏插塞；

位于所述測試區襯底上的多個分立的測試柵極結構，多個測試柵極結構中具有第一測試柵極結構和第二測試柵極結構，所述第一測試柵極結構和第二測試柵極結構的寬度不相等，且所述第一測試柵極結構到相鄰測試柵極結構之間的間距與第二測試柵極結構到相鄰測試柵極結構之間的間距相等，或者，所述第一測試柵極結構與相鄰測試柵極結構之間的間距為第一間距，所述第二測試柵極結構與相鄰測試柵極結構之間的間距為第二間距，所述第一間距與第二間距不相等，所述第一測試柵極結構和第二測試柵極結構的寬度相等；

位于相鄰測試柵極結構之間襯底中的測試源漏摻雜區，所述測試源漏摻雜區的個數大于2；

連接所述測試源漏摻雜區的測試源漏插塞，所述測試源漏插塞沿垂直于所述測試柵極結構側壁方向上的尺寸與器件源漏插塞沿垂直于所述器件柵極結構側壁方向上的尺寸相等。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，多個測試柵極結構中還具有第三測試柵極結構和第四測試柵極結構，所述第三測試柵極結構到相鄰測試柵極結構之間的間距為第一間距，所述第四測試柵極結構到相鄰測試柵極結構之間的間距為第二間距，所述第一間距與第二間距不相等；所述第三測試柵極結構和第四測試柵極結構的寬度不相等。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，多個測試柵極結構中還具有第三測試柵極結構和第四測試柵極結構，所述第三測試柵極結構中心到相鄰測試柵極結構中心之間的距離與所述第四測試柵極結構中心到相鄰測試柵極結構中心之間的距離相等，所述第三測試柵極結構與第四測試柵極結構的寬度不相等。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述襯底包括：基底；位于所述測試區和器件區基底上的鰭部，所述測試區鰭部與所述器件區鰭部的寬度相等；

所述器件柵極結構橫跨所述器件區鰭部，且覆蓋所述器件區鰭部部分頂部和側壁表面，所述測試柵極結構橫跨所述測試區鰭部，且覆蓋所述測試區鰭部部分側壁和頂部表面。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述器件區鰭部的個數與所述測試區鰭部的個數相同。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于相鄰器件柵極結構之間襯底中的器件源漏擴展區，所述器件源漏擴展區鄰近器件柵極結構的邊緣到所述器件柵極結構中心線之間的距離小于器件源漏摻雜區鄰近器件柵極結構的邊緣到所述器件柵極結構中心線之間的距離；位于所述測試柵極結構之間襯底中的測試源漏擴展區，所述測試源漏擴展區鄰近測試柵極結構的邊緣到所述測試柵極結構中心線之間的距離小于所述測試源漏摻雜區鄰近測試柵極結構的邊緣到所述測試柵極結構中心線之間的距離。

7.一種測量電阻的方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1所述的半導體結構；

對相鄰測試源漏摻雜區之間的測試柵極結構施加開啟電壓，開啟所述測試柵極結構下方的溝道；

使部分測試源漏插塞中具有第一測試電流，多個測試源漏插塞中具有第一插塞和第二插塞，所述第一插塞中具有第一測試電流，且所述第一測試電流不流經所述第二插塞以及所述第一插塞和第二插塞之間的測試柵極結構下方溝道；

獲取所述第一插塞與第二插塞之間的測試電壓；

通過所述第一測試電流與所述測試電壓獲取所述器件區的器件外部電阻。