[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法以及半導(dǎo)體元件的終端區(qū)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710485635.9
• 申請(qǐng)日: 2017-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN108962874B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡依蕓;陳志宏;陳勁甫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力智電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/528
• 分類號(hào): H01L23/528
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括基底、第一介電層、第一導(dǎo)體層、定位部、兩個(gè)間隙壁與第二導(dǎo)體層。基底具有第一溝槽。第一介電層設(shè)置于第一溝槽的表面上。第一導(dǎo)體層填入第一溝槽，且位于第一介電層上。定位部設(shè)置于基底上，且具有第一開口。第一開口暴露出第一溝槽。間隙壁設(shè)置于第一開口的兩個(gè)側(cè)壁上，且暴露出第一導(dǎo)體層。第二導(dǎo)體層填入第一開口，且電性連接至第一導(dǎo)體層。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可在維持高崩潰電壓的情況下，同時(shí)防止漏電流的產(chǎn)生。本發(fā)明另提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及半導(dǎo)體元件的終端區(qū)結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種可提高崩潰電壓(breakdown voltage)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法以及半導(dǎo)體元件的終端區(qū)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的內(nèi)連線處理中，在導(dǎo)線(如，柵極匯流排線(gate bus)上形成接觸窗時(shí)，用以形成導(dǎo)線的溝槽需要較大的開口，以確保接觸窗與導(dǎo)線之間可有效地進(jìn)行連接。

在進(jìn)行溝槽的蝕刻處理時(shí)，較大的開口會(huì)形成較深的溝槽。然而，深溝槽中的電極與基底距離較短，會(huì)造成崩潰電壓(breakdown voltage)降低，且容易產(chǎn)生漏電流。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法以及半導(dǎo)體元件的終端區(qū)結(jié)構(gòu)，其可在維持高崩潰電壓的情況下，同時(shí)防止漏電流的產(chǎn)生。

本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括基底、第一介電層、第一導(dǎo)體層、定位部、兩個(gè)間隙壁與第二導(dǎo)體層。基底具有第一溝槽。第一介電層設(shè)置于第一溝槽的表面上。第一導(dǎo)體層填入第一溝槽，且位于第一介電層上。定位部設(shè)置于基底上，且具有第一開口。第一開口暴露出第一溝槽。間隙壁設(shè)置于第一開口的兩個(gè)側(cè)壁上，且暴露出第一導(dǎo)體層。第二導(dǎo)體層填入第一開口，且電性連接至第一導(dǎo)體層。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，第一開口可完全暴露出第一溝槽。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，第一開口的寬度可大于或等于第一溝槽的寬度。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，間隙壁可至少覆蓋部分第一介電層。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，間隙壁之間的間距例如是由上至下遞減。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，還可包括第二介電層。第二介電層設(shè)置于定位部上，且具有第二開口。第二開口暴露出第一開口。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，第二導(dǎo)體層還可延伸設(shè)置于第二開口中。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，還可包括第三導(dǎo)體層。第三導(dǎo)體層設(shè)置于第二介電層上與第二導(dǎo)體層上。

本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟。提供基底，基底具有第一溝槽。在第一溝槽的表面上形成第一介電層。在第一溝槽中的第一介電層上形成第一導(dǎo)體層。在基底上形成定位部。定位部具有第一開口，且第一開口暴露出第一溝槽。在第一開口的兩個(gè)側(cè)壁上分別形成兩個(gè)間隙壁。間隙壁間暴露出第一導(dǎo)體層。形成填入第一開口的第二導(dǎo)體層。第二導(dǎo)體層電性連接至第一導(dǎo)體層。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，定位部的形成方法可包括以下步驟。在基底上形成定位材料層。對(duì)定位材料層進(jìn)行圖案化處理。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，第一開口可完全暴露出第一溝槽。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，第一開口的寬度可大于或等于第一溝槽的寬度。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，間隙壁的形成方法可包括以下步驟。在第一開口上形成間隙壁材料層。對(duì)間隙壁材料層進(jìn)行回蝕刻處理。