[發明專利]無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構及其工作方法有效
| 申請號: | 201710480164.2 | 申請日: | 2017-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN107134429B | 公開(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發明(設計)人: | 張曉冬 | 申請(專利權)人: | 北京德鑫泉物聯網科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京雙收知識產權代理有限公司 11241 | 代理人: | 李云鵬 |
| 地址: | 100176 北京市大興區經*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 平臺 吸附 壓片 機構 及其 工作 方法 | ||
1.一種無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構,其特征在于:包括帶真空吸附的支架梁(2);所述帶真空吸附的支架梁(2)的其中一面設有支架梁開槽(7);所述支架梁開槽(7)處粘結有若干個硅膠吸嘴(6);所述支架梁開槽(7)的側面設有抽真空氣孔(8);硅膠吸嘴(6)通過支架梁開槽(7)與抽真空氣孔(8)相連通;所述無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構中放置電磁鐵(4)。
2.根據權利要求1所述的無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構,其特征在于:所述帶真空吸附的支架梁(2)及電磁鐵(4)壓在片材空白區域(3)。
3.根據權利要求2所述的無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構,其特征在于:所述帶真空吸附的支架梁(2)為近“U”字形、“山”字形、“口”字形或“日”字形結構。
4.根據權利要求3所述的無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構,其特征在于:其片材工作區域內部的結構厚度在8mm之內,方便工作頭或者其他加工頭在工作時跳過該結構。
5.根據權利要求4所述的無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構,其特征在于:所述帶真空吸附的支架梁(2)可以快速的通過螺釘、銷釘、榫接結構更換內部連接方式和位置,從而適應不同的片材大小;電磁鐵(4)的厚度為1-8mm;電磁鐵(4)的厚度為5mm;支架梁(2)在工作區域的最大厚度為8mm;所述硅膠吸嘴(6)為長圓形,底面8mm×30mm,高度為4mm。
6.權利要求1-5任一項所述的無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構的工作方法,其特征在于,包括以下步驟:
打開真空;
吸取片材并放置于無真空孔平臺上;
放置電磁鐵并通電;
完成操作后,電磁鐵斷電;
移除片材并關閉真空。
7.根據權利要求6所述的無真空孔平臺上帶真空吸附的壓片材機構的工作方法,其特征在于:打開真空,通過帶真空吸附的支架梁(2)上的硅膠吸嘴(6)將片材從上料盒中吸取出來,然后將片材放到無真空孔平臺(1)上,在壓片材機構的特定區域放置電磁鐵(4);當需要增大對片材的壓力時,則電磁鐵通電,在電磁鐵與其下部的能夠被電磁力吸引的平臺(1)之間產生磁力壓下片材,電磁鐵(4)的吸力大小可以通過改變電流大小調節;此時進行芯片或者模塊的取放、點膠、埋線或焊接操作;當上述操作完成后,無需增大對片材壓力時,電磁鐵(4)斷電,磁力消失;再通過帶真空吸附的支架梁(2)上的硅膠吸嘴(6)將片材從平臺(1)上移動到下料盒上,關閉真空,放掉片材;重復上述步驟進行下一張片材的生產。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京德鑫泉物聯網科技股份有限公司,未經北京德鑫泉物聯網科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710480164.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:制絨槽內硅片輸送裝置
- 下一篇:一種陣列基板制程
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





