[發明專利]存儲器的升壓電路

有效

• 申請號: 201710478425.7
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN107527643B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 莫希特·查納納;安柯·戈埃爾
• 申請（專利權）人: ARM有限公司;安謀科技（中國）有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳曉兵

1.一種具有升壓電路的存儲器設備，包括：

存儲單元，與互補位線耦合，其中所述存儲單元存儲與經由所述互補位線接收的互補位線信號相關聯的至少一個數據比特值；

一對寫驅動器，經由所述互補位線與所述存儲單元耦合，其中每個寫驅動器包括一對晶體管，其中該對寫驅動器被布置為基于互補升壓信號向所述存儲單元提供所述互補位線信號；

針對該對寫驅動器中的每一個的一對互補升壓共享傳遞門，其中每對互補升壓共享傳遞門包括由互補數據輸入信號控制的P型晶體管和N型晶體管；和

一對互補升壓發生器，經由該對互補升壓共享傳遞門與該對寫驅動器耦合，

其中該對互補升壓發生器被布置為基于所述至少一個數據比特值選擇性地將所述互補升壓信號提供給該對寫驅動器的該對晶體管的相應柵極。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括經由所述互補位線耦合在該對寫驅動器與所述存儲單元之間的一對寫選擇多路復用器，其中該對寫選擇多路復用器在激活時從該對寫驅動器向所述存儲單元提供所述互補位線信號。

3.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，一對互補升壓共享傳遞門耦合在該對互補升壓發生器與該對寫驅動器中的一個之間，而其中另一對互補升壓共享傳遞門耦合在該對互補升壓發生器與該對寫驅動器中的另一個之間。

4.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括與該對寫驅動器耦合的傳輸門的互補對，其中該傳輸門的互補對基于互補寫使能信號將互補數據輸入信號傳遞給該對寫驅動器。

5.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中該對互補升壓發生器包括正升壓發生器，所述正升壓發生器具有多個反相器和電容器，所述電容器被布置為接收寫使能信號并向該對寫驅動器中的一個提供正升壓信號，并且其中所述正升壓信號是該對互補升壓信號的第一升壓信號。

6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中該對互補升壓發生器包括負升壓發生器，所述負升壓發生器具有反相器和電容器，所述電容器被布置為接收寫使能信號并向該對寫驅動器中的另一個提供負升壓信號，并且其中所述負升壓信號是該對互補升壓信號的第二升壓信號。

7.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述存儲單元包括多晶體管靜態隨機存取存儲(SRAM)單元。

8.一種具有升壓電路的存儲器設備，包括：

存儲單元，與第一位線和第二位線耦合，其中所述存儲單元存儲與經由所述第一位線和第二位線接收的第一互補位線信號和第二互補位線信號相關聯的數據比特值；

第一寫驅動器，經由所述第一位線與所述存儲單元耦合，其中所述第一寫驅動器包括布置成反相器的第一對晶體管，其中所述第一寫驅動器被布置為基于第一升壓信號向所述存儲單元提供所述第一互補位線信號；

第二寫驅動器，經由所述第二位線與所述存儲單元耦合，其中第二寫入驅動器包括第二對晶體管，其中所述第二寫驅動器被布置為基于第二升壓信號向所述存儲單元提供所述第二互補位線信號；

第一對升壓共享傳遞門，耦合到所述第一寫入驅動器的輸入，其中所述第一對升壓共享傳遞門包括P型晶體管和N型晶體管；

第二對升壓共享傳遞門，耦合到所述第二寫入驅動器的輸入，其中所述第二對升壓共享傳遞門包括P型晶體管和N型晶體管；

第一升壓發生器，經由所述第一對升壓共享傳遞門與所述第一寫驅動器耦合，其中所述第一升壓發生器被布置為基于所述數據比特值選擇性地將所述第一升壓信號提供給所述第一寫驅動器的所述第一對晶體管的柵極；以及

第二升壓發生器，經由所述第二對升壓共享傳遞門與所述第二寫驅動器耦合，其中所述第二升壓發生器被布置為基于所述數據比特值選擇性地將所述第二升壓信號提供給所述第二寫驅動器的所述第二對晶體管的柵極。