[發明專利]扇出晶片級封裝型半導體封裝及包含其的疊層封裝型半導體封裝有效
| 申請號: | 201710475431.7 | 申請日: | 2017-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN107808860B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發明(設計)人: | 全炯俊;李來寅;樸炳律 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 黃隸凡;劉培培 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 封裝 半導體 包含 | ||
本發明提供一種疊層封裝型的半導體封裝,其包含:下部封裝,所述下部封裝包含:印刷電路板(printed?circuit?board,PCB)襯底,所述PCB襯底包含多個基底層以及穿透多個基底層的腔室;第一半導體芯片,其在所述腔室中;重布線結構,其在PCB襯底的第一表面上并且在第一半導體芯片的有源表面上;第一覆蓋層,其覆蓋重布線結構;以及第二覆蓋層,其覆蓋PCB襯底的第二表面和第一半導體芯片的無源表面;以及上部封裝,其在下部封裝的第二覆蓋層上并且包含第二半導體芯片。
相關申請的交叉參考
本申請主張在對2016年9月9日在韓國知識產權局遞交的第10-2016-0116579號韓國專利申請的優先權,所述申請的揭示內容以全文引用的方式并入本文中。
技術領域
本發明的實例實施例涉及半導體封裝,更確切地說,涉及扇出晶片級封裝型半導體封裝以及包含所述扇出晶片級封裝型半導體封裝的疊層封裝型半導體封裝。
背景技術
隨著電子產業的發展,半導體裝置已經迅速地縮小尺寸并且制造的更加輕盈。此外,根據移動裝置的發展,需要小型且多功能的半導體裝置。
因而,為了提供多功能半導體封裝,已經研究出疊層封裝(package?on?package,POP)型半導體封裝,其中上部半導體封裝堆疊在具有與上部半導體封裝不同功能的下部封裝上。另外,在POP類型半導體封裝的上部封裝大于POP類型半導體封裝的下部封裝的情況下,已經提出扇出晶片級封裝(fan?out?wafer?level?package,FOWLP)作為POP類型半導體封裝的下部封裝。
發明內容
本發明的實例實施例提供一種FOWLP類型半導體封裝以及包含FOWLP類型半導體封裝的POP類型半導體封裝,所述半導體封裝可以引起下部封裝與上部封裝之間的電連接的更大的可靠性。
根據本發明的實例實施例,疊層封裝型半導體封裝可以包含:第一封裝,其中第一封裝可以包含:印刷電路板(printed?circuit?board,PCB)襯底,其具有第一表面和與第一表面相對的第二表面,其中PCB襯底可以包含多個基底層以及穿透多個基底層的腔室;第一半導體芯片,其在所述腔室中,其中第一半導體芯片可具有有源表面以及與有源表面相對的無源表面;重布線結構,其在PCB襯底的第一表面上并且在第一半導體芯片的有源表面上;第一覆蓋層,其覆蓋重布線結構;以及第二覆蓋層,其覆蓋PCB襯底的第二表面和第一半導體芯片的無源表面;以及第二封裝,其在第一封裝上,其中所述第二封裝可以放置在第一封裝的第二覆蓋層上并且可以包含第二半導體芯片。重布線結構可以包含:第一子絕緣夾層,其在第一半導體芯片的有源表面上并且在PCB襯底的第一表面上;第一通孔層,其穿透第一子絕緣夾層;第一布線層,其在第一子絕緣夾層上;至少一第二子絕緣夾層,其在第一子絕緣夾層上覆蓋第一布線層的至少一部分;第二通孔層,其穿透第二子絕緣夾層;以及第二布線層,其在第二子絕緣夾層上。第一覆蓋層、第二覆蓋層和第一子絕緣夾層可以由相同材料形成。
根據本發明的實例實施例,扇出晶片級封裝型半導體封裝可以包含:襯底,其具有第一表面和與第一表面相對的第二表面,其中襯底可以包含:多個基底層;在第一表面上的第一連接墊以及在第二表面上的第二連接墊;多個導電通孔,其穿透多個基底層的相應者以將第一連接墊電連接到第二連接墊;以及腔室,其穿透多個基底層并且與多個導電通孔、第一連接墊和第二連接墊間隔開;半導體芯片,其在所述腔室中并且與腔室的內部側壁間隔開,其中半導體芯片可以包含在半導體芯片的有源表面上的第一襯墊;重布線結構,其在襯底的第一表面和半導體芯片的有源表面上;第一覆蓋層,其覆蓋重布線結構;以及第二覆蓋層,其覆蓋半導體芯片的無源表面和襯底的第二表面。重布線結構可以包含:第一子絕緣夾層,其在襯底的第一表面上并且在半導體芯片的有源表面上;至少一個第二子絕緣夾層,其在第一子絕緣夾層上;第一通孔層,其穿透第一子絕緣夾層;第二通孔層,其穿透第二子絕緣夾層中的每一個。第一覆蓋層、第二覆蓋層和第一子絕緣夾層可以由相同材料形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電子株式會社,未經三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710475431.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:對被處理物進行處理的方法
- 下一篇:燃料電池總成





