[發(fā)明專利]扇出晶片級封裝型半導體封裝及包含其的疊層封裝型半導體封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710475431.7
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN107808860B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 全炯俊;李來寅;樸炳律
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/31
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 黃隸凡;劉培培

1.一種疊層封裝型半導體封裝，其包括：

第一封裝，其中所述第一封裝包括：

印刷電路板襯底，其具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面，其中所述印刷電路板襯底包含多個基底層以及穿透所述多個基底層的腔室；

第一半導體芯片，其在所述腔室中，其中所述第一半導體芯片具有有源表面以及與所述有源表面相對的無源表面；

重布線結(jié)構(gòu)，其在所述印刷電路板襯底的所述第一表面上并且在所述第一半導體芯片的所述有源表面上；

第一覆蓋層，其覆蓋所述重布線結(jié)構(gòu)；以及

第二覆蓋層，其覆蓋所述印刷電路板襯底的所述第二表面以及所述第一半導體芯片的所述無源表面并直接接觸所述印刷電路板襯底的所述第二表面以及所述第一半導體芯片的所述無源表面；

以及

第二封裝，其在所述第一封裝上，其中所述第二封裝放置在所述第一封裝的所述第二覆蓋層上并且包含第二半導體芯片，

其中所述重布線結(jié)構(gòu)包括：

第一子絕緣夾層，其在所述第一半導體芯片的所述有源表面上并且在所述印刷電路板襯底的所述第一表面上；

第一通孔層，其穿透所述第一子絕緣夾層；

第一布線層，其在所述第一子絕緣夾層上；

至少一第二子絕緣夾層，其在所述第一子絕緣夾層上，所述第二子絕緣夾層覆蓋所述第一布線層的至少一部分；

第二通孔層，其穿透所述第二子絕緣夾層；

第二布線層，其在所述第二子絕緣夾層上，并且

其中所述第一覆蓋層、所述第二覆蓋層以及所述第一子絕緣夾層由相同材料形成，并且

其中所述第一覆蓋層、所述第二覆蓋層以及所述第一子絕緣夾層由包含填充物的烴環(huán)化合物形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝型半導體封裝，其特征在于，所述第二子絕緣夾層由不含填充物的樹脂形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝型半導體封裝，其特征在于，所述第一通孔層包含垂直地穿過所述第一子絕緣夾層的第一通孔，并且所述第二通孔層包含垂直地穿過所述第二子絕緣夾層的第二通孔，并且所述第一通孔與第二通孔具有不同的垂直輪廓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝型半導體封裝，其特征在于，所述第一通孔層包含垂直地穿過所述第一子絕緣夾層的第一通孔，并且所述第二通孔層包含垂直地穿過所述第二子絕緣夾層的第二通孔，并且所述第一通孔相對于水平面的側(cè)壁傾斜角大于所述第二通孔相對于所述水平面的側(cè)壁傾斜角。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝型半導體封裝，其特征在于，所述第一通孔層包含垂直地穿過所述第一子絕緣夾層的第一通孔，并且所述第二通孔層包含垂直地穿過所述第二子絕緣夾層的第二通孔，并且從所述第一通孔的底部到頂部的所述第一通孔的寬度是恒定的，并且

所述第二通孔連接到所述第一布線層并且靠近所述第一布線層的所述第二通孔的一部分的寬度小于遠離所述第一布線層的所述第二通孔的另一部分的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝型半導體封裝，其特征在于，所述第一通孔層整體地耦合到所述第一布線層，

所述第二子絕緣夾層是形成于所述第一子絕緣夾層上的多個子絕緣夾層的部分，并且相應(yīng)的通孔層穿透所述多個子絕緣夾層中的每一個，并且相應(yīng)的布線層在所述多個第二子絕緣夾層中的每一個上，并且

所述相應(yīng)的通孔層整體地耦合到其相應(yīng)的布線層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層封裝型半導體封裝，其特征在于，用于每一第二子絕緣夾層的所述通孔層包含垂直通孔，所述垂直通孔各自具有在遠離其相應(yīng)的布線層的方向上逐漸增大的側(cè)壁傾斜角。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的疊層封裝型半導體封裝，其特征在于，所述第二布線層進一步包括在與所述垂直通孔重疊的所述第二布線層的部分的頂部表面上的凹坑。