[發明專利]一種倒裝LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201710473736.4
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN109004076A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 王兵;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本發明提供了一種倒裝LED芯片及其制作方法，在襯底上依次形成緩沖層和發光結構，其中，發光結構包括第一半導體層、有源層、第二半導體層、金屬反射電極層、金屬阻擋層、第一反射鈍化層、第一電極和第二電極，在發光結構表面形成第二反射鈍化層，對第二反射鈍化層進行刻蝕，在所述第一電極表面形成第一裸露區域，在所述第二電極表面形成第二裸露區域，在第一裸露區域形成第一焊盤，在第二裸露區域形成第二焊盤。從有源層發出的光通過金屬反射電極層、第一反射鈍化層和第二反射鈍化層，一部分從倒裝LED芯片的側壁折射出去，一部分反射回襯底一側，在不增加額外復雜工藝的條件下，極大地提高了有源層的出光效率，從而提高了芯片的亮度。

技術領域

本發明涉及一種發光二極管技術領域，尤其涉及一種倒裝LED芯片及其制作方法。

背景技術

LED（Light Emitting Diode，發光二極管）是一種利用載流子復合時釋放能量形成發光的半導體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節能環保等諸多優勢。

LED芯片的發光效率主要由內量子效率和外量子效率決定。目前，LED芯片的內量子效率已經達到90%以上，但外量子效率卻較低。因此，如何提高LED芯片的外量子效率，已經成為業界的重點研究方向。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種倒裝LED芯片及其制作方法，工藝簡單、外量子效率高。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種倒裝LED芯片的制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成緩沖層和發光結構，所述發光結構包括設于緩沖層表面的第一半導體層，設于所述第一半導體層表面的有源層、第一反射鈍化層和第一電極，設于所述有源層表面的第二半導體層，設于第二半導體層表面的金屬反射電極層，設于所述金屬反射電極層表面的金屬阻擋層，設于所述金屬阻擋層表面的第一反射鈍化層和第二電極，所述第一電極和所述第二電極之間相互絕緣；

在所述發光結構表面形成第二反射鈍化層；

對所述第二反射鈍化層進行刻蝕，在所述第一電極表面形成第一裸露區域，在所述第二電極表面形成第二裸露區域；

在所述第一裸露區域形成第一焊盤，在所述第二裸露區域形成第二焊盤。

作為上述方案的改進，所述發光結構的制作方法包括：

在所述緩沖層表面依次形成第一半導體層、有源層和第二半導體層；

對所述第二半導體層和所述有源層進行刻蝕，形成貫穿所述第二半導體層和所述有源層，并延伸至所述第一半導體層的第一通孔；

在所述第二半導體層表面依次形成金屬反射電極層和金屬阻擋層；

在所述金屬阻擋層表面和第一通孔內形成和第一反射鈍化層；

對所述第一反射鈍化層進行刻蝕，在所述第一半導體成表面形成第一電極通孔，在所述金屬阻擋層表面形成第二電極通孔；

在所述第一電極通孔形成第一電極，在所述第二電極通孔形成第二電極，且所述第一電極和所述第二電極之間相互絕緣。

作為上述方案的改進，所述金屬反射電極層是采用沉積工藝在第二半導體層表面形成的，所述金屬阻擋層是采用磁控濺射工藝在所述金屬反射電極層表面和所述第一通孔內形成的。