[發明專利]一種倒裝LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201710473736.4
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN109004076A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 王兵;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種倒裝LED芯片的制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成緩沖層和發光結構，所述發光結構包括設于緩沖層表面的第一半導體層，設于所述第一半導體層表面的有源層、第一反射鈍化層和第一電極，設于所述有源層表面的第二半導體層，設于第二半導體層表面的金屬反射電極層，設于所述金屬反射電極層表面的金屬阻擋層，設于所述金屬阻擋層表面的第一反射鈍化層和第二電極，所述第一電極和所述第二電極之間相互絕緣；

在所述發光結構表面形成第二反射鈍化層；

對所述第二反射鈍化層進行刻蝕，在所述第一電極表面形成第一裸露區域，在所述第二電極表面形成第二裸露區域；

在所述第一裸露區域形成第一焊盤，在所述第二裸露區域形成第二焊盤。

2.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述發光結構的制作方法包括：

在所述緩沖層表面依次形成第一半導體層、有源層和第二半導體層；

對所述第二半導體層和所述有源層進行刻蝕，形成貫穿所述第二半導體層和所述有源層，并延伸至所述第一半導體層的第一通孔；

在所述第二半導體層表面依次形成金屬反射電極層和金屬阻擋層；

在所述金屬阻擋層表面和第一通孔內形成第一反射鈍化層；

對所述第一反射鈍化層進行刻蝕，在所述第一半導體成表面形成第一電極通孔，在所述金屬阻擋層表面形成第二電極通孔；

在所述第一電極通孔形成第一電極，在所述第二電極通孔形成第二電極，且所述第一電極和所述第二電極之間相互絕緣。

3.根據權利要求2所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金屬反射電極層是采用沉積工藝在第二半導體層表面形成的，所述金屬阻擋層是采用磁控濺射工藝在所述金屬反射電極層表面形成的。

4.根據權利要求2所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一電極是采用電子束蒸鍍、磁控濺射、電鍍或化學鍍工藝在所述第一電極通孔沉積填充金屬層形成的，所述第二電極是采用電子束蒸鍍、磁控濺射、電鍍或化學鍍工藝在所述第二電極通孔沉積填充金屬層形成的，所述第一電極和所述第二電極之間相互絕緣。

5.根據權利要求2所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一反射鈍化層是采用等離子體增強化學氣相沉積法工藝在所述金屬阻擋層表面和所述第一通孔內形成的。

6.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二反射鈍化層是采用等離子體增強化學氣相沉積法工藝在所述發光結構表面形成的。

7.一種倒裝LED芯片，包括：

襯底；

設于所述襯底表面的緩沖層和發光結構，所述發光結構包括設于襯底表面的第一半導體層，設于所述第一半導體層表面的有源層、第一反射鈍化層和第一電極，設于所述有源層表面的第二半導體層，設于第二半導體層表面的金屬反射電極層，設于所述金屬反射電極層表面的金屬阻擋層，設于所述金屬阻擋層表面的第一反射鈍化層和第二電極，所述第一電極和所述第二電極之間相互絕緣；

設于發光結構表面的第二反射鈍化層；

貫穿所述第二反射鈍化層，設于第一電極表面的第一焊盤，設于第二電極表面的第二焊盤。

8.根據權利要求7所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述金屬反射電極層由ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ni和Ti中的一種或幾種制成。

9.根據權利要求7所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一反射鈍化層或所述第二反射鈍化層由多層折射率不同的反射材料制成。

10.根據權利要求9所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述反射材料選用SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、ZnSe、ZnS、ZrO₂、Al₂O₃中的兩種或兩種以上。