[發明專利]一種納米多孔金@有序多孔鎳復合材料及其制備方法和應用在審
| 申請號: | 201710469237.8 | 申請日: | 2017-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN107447235A | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 柯曦;程乙峰;施志聰;劉軍;王乃光 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | C25C5/02 | 分類號: | C25C5/02;B01J23/89;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 廣東廣信君達律師事務所44329 | 代理人: | 楊曉松 |
| 地址: | 510062 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 多孔 有序 復合材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種納米多孔金@有序多孔鎳復合材料的制備方法,其特征在于,包括如下具體步驟:
S1.將導電基底垂直插入聚苯乙烯乳液液面下,將其蒸發處理后取出,即得自組裝聚苯乙烯膠態晶體薄膜的導電基底;
S2.以步驟S1所得的導電基底為工作電極,鍍鉑鈦網為對電極,甘汞電極為參比電極,將上述電極浸入鎳電鍍液中,在三電極體系中進行電化學沉積,電沉積結束后取出導電基底,經沖洗和吹干處理,得到沉積鎳的導電基底;
S3.將沉積鎳的導電基底進行退火處理,退火結束后取出,經清洗和吹干處理,在導電基底上得到有序的多孔鎳薄膜;
S4.以步驟S3所得的導電基底為工作電極,以鍍鉑鈦網為對電極,甘汞電極為參比電極,將上述電極浸入金錫合金鍍液中,在三電極體系中進行電化學沉積,電沉積結束后取出導電基底,經清洗和吹干處理,得到金錫合金/有序多孔鎳材料;
S5.將金錫合金/有序多孔鎳材料浸入腐蝕液中進行去合金處理,取出后沖洗和吹干,得到納米多孔金@有序多孔鎳復合材料。
2.根據權利要求1所述的納米多孔金@有序多孔鎳復合材料的制備方法,其特征在于,步驟S1中所述中所述聚苯乙烯乳液為聚苯乙烯分散在無水乙醇中的乳液,所述聚苯乙烯乳液的質量比濃度為1~5%,所述聚苯乙烯乳液的粒徑為50~700nm。
3.根據權利要求1所述的納米多孔金@有序多孔鎳復合材料的制備方法,其特征在于,步驟S1中所述蒸發的溫度為45~70℃,所述蒸發的濕度為50~75%RH,所述蒸發的時間為3~5天,所述導電基底為不銹鋼片、鈦片或ITO玻璃。
4.根據權利要求1所述的納米多孔金@有序多孔鎳復合材料的制備方法,其特征在于,步驟S2中所述電化學沉積的電流密度為0.5~3mAcm-2,所述電化學沉積的溫度為20~45℃,所述電化學沉積的時間為300~1800s,所述鎳電鍍液為NiSO4、NiCl2和H3PO4的混合液,所述NiSO4的濃度為0.02~0.15mol/L,所述NiCl2的濃度為0.02~0.1mol/L,所述H3PO4的濃度為0.02~0.1mol/L。
5.根據權利要求1所述的納米多孔金@有序多孔鎳復合材料的制備方法,其特征在于,步驟S3中所述退火的升溫速率為0.5~5℃/min,所述退火的溫度為400~600℃,所述退火的時間為1~6h。
6.根據權利要求1所述的納米多孔金@有序多孔鎳復合材料的制備方法,其特征在于,步驟S4中所述金錫合金鍍液為NaAuCl4、SnCl2、Na2SO3、EDTA和K4P2O7的混合液,所述金錫合金鍍液是由NaAuCl4·2H2O、SnCl2·2H2O、Na2SO3、EDTA和K4P2O7·3H2O用去離子水配制,所述NaAuCl4·2H2O、SnCl2·2H2O、Na2SO3、EDTA和K4P2O7·3H2O的質量比為(2-3):(1-2):12:1:8,所述EDTA溶液的濃度為5g/L;所述電化學沉積的電流密度為0.1~4mAcm-2,所述電化學沉積的溫度為30~60℃,所述電化學沉積的時間為60~950s。
7.根據權利要求1所述的納米多孔金@有序多孔鎳復合材料的制備方法,其特征在于,步驟S5中所述腐蝕液為H2O2和NaOH的混合液,所述去合金的時間為3~10天。
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