[發(fā)明專利]HBC型晶體太陽能電池的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710468365.0
• 申請日: 2017-06-20
• 公開（公告）號: CN107527960B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 松崎淳介;高橋明久;齊藤一也;淺利伸;大園修司;鈴木英夫;山口昇
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社愛發(fā)科
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/20
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 楊晶;王琦

本發(fā)明涉及HBC型晶體太陽能電池的制造方法以及HBC型晶體太陽能電池。該制造方法使用由第一導(dǎo)電型的晶體硅構(gòu)成的基板，且依次包括：單獨或者同時地形成i型的非晶Si層α和i型的非晶Si層β的工序；形成光致抗蝕劑的工序；通過利用掩模的離子注入法，將導(dǎo)電型與第一導(dǎo)電型相同的部位A以及導(dǎo)電型與第一導(dǎo)電型不同的部位B，以內(nèi)部存在于非晶Si層β并且在該非晶Si層β的外表面?zhèn)缺┞冻鲆徊糠值姆绞?，形成在通過光致抗蝕劑而相互分隔的位置的工序；對離子注入后的非晶Si層β進(jìn)行退火處理的工序；以覆蓋位于非晶Si層β的外表面?zhèn)鹊牟课籄、部位B以及光致抗蝕劑的方式來形成導(dǎo)電性部件的工序；以及去除被導(dǎo)電性部件覆蓋的光致抗蝕劑的工序。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種可以謀求制造工序的簡化并且能夠穩(wěn)定地獲得在俯視時具有清晰輪廓的離子注入?yún)^(qū)域及電極形狀的、HBC型晶體太陽能電池的制造方法以及HBC型晶體太陽能電池。

背景技術(shù)

以往，眾所周知在以晶體硅為基板的太陽能電池(以下，也稱為晶體太陽能電池)中，背接觸型的太陽能電池能夠獲得高發(fā)電效率。其中，異質(zhì)結(jié)類型的背接觸型(HBC型)晶體太陽能電池的發(fā)電效率被確認(rèn)為世界上最高，它已從多個方面引起了人們的關(guān)注。

在這種HBC型晶體太陽能電池中，由n型非晶Si層構(gòu)成的部位和由p型非晶Si層構(gòu)成的部位隔著i型非晶Si層而分別局部化地配置在硅基板的背面(位于光入射面的相反側(cè)的面)，并且相互分隔地配置。已知為了獲得這種結(jié)構(gòu)，經(jīng)過圖25所示的工序來制造HBC型晶體太陽能電池(例如，專利文獻(xiàn)1的現(xiàn)有技術(shù)等)。

圖25是示出現(xiàn)有的HBC型晶體太陽能電池所涉及的制造方法的一例的示意性剖視圖。即，在圖25的(a)中，對硅基板1001的單個面，進(jìn)行i型非晶Si層1002和n型非晶Si層1003的成膜。

在圖25的(b)中，在n型非晶Si層1003上，形成具有所期望的圖案的光致抗蝕劑1004。

在圖25的(c)中，使用光致抗蝕劑1004，對i型非晶Si層1002和n型非晶Si層1003進(jìn)行蝕刻。

在圖25的(d)中，在蝕刻后，將光致抗蝕劑1004剝離。

在圖25的(e)中，形成蝕刻阻擋層1005。對蝕刻阻擋層1005進(jìn)行遮蔽，并且對在未形成有n型非晶Si層1003的分隔部上的蝕刻阻擋層1005進(jìn)行蝕刻。進(jìn)而在其上，遍及整個區(qū)域來進(jìn)行i型非晶Si層1006和p型非晶Si層1007的成膜。

在圖25的(f)中，在分隔部上形成光致抗蝕劑1008。

在圖25的(g)中，使用光致抗蝕劑1008，來對i型非晶Si層1006和p型非晶Si層1007進(jìn)行蝕刻。

在圖25的(h)中，在蝕刻后，將光致抗蝕劑1008剝離。

在圖25的(i)中，將蝕刻阻擋層1005剝離。

在圖25的(j)中，在i型非晶Si層1002之間的分隔部以及n型非晶Si層1003與p型非晶Si層1007的分隔部上，使i型非晶Si層1009成膜。

也就是說，在現(xiàn)有的HBC型晶體太陽能電池的制造方法中，通過歷經(jīng)上述多道工序[圖25]之后，才能夠制作出由n型非晶Si層1003和p型非晶Si層1007構(gòu)成的特定的圖案區(qū)域。為此，不得不多次執(zhí)行光刻及蝕刻等方法。然而，若以這種方法來進(jìn)行圖案化，則如圖25所示工序數(shù)量會增加，導(dǎo)致生產(chǎn)線的成本上升，進(jìn)而，太陽能電池的低成本化處于難以實現(xiàn)的狀況。

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開2012-243797號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其目的在于，提供一種能夠大幅削減進(jìn)行制造時的工序數(shù)量，并且能夠穩(wěn)定地獲得在俯視時具有清晰輪廓的離子注入?yún)^(qū)域及電極形狀的、HBC型晶體太陽能電池的制造方法以及HBC型晶體太陽能電池。