[發明專利]HBC型晶體太陽能電池的制造方法有效
| 申請號： | 201710468365.0 | 申請日： | 2017-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN107527960B | 公開（公告）日： | 2022-04-26 |
| 發明（設計）人： | 松崎淳介;高橋明久;齊藤一也;淺利伸;大園修司;鈴木英夫;山口昇 | 申請（專利權）人： | 株式會社愛發科 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 楊晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | hbc 晶體 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種異質結背接觸HBC型晶體太陽能電池的制造方法，其中，
使用由第一導電型的晶體硅構成的基板，且依次包括：
單獨或者同時地形成i型的非晶Si層α和i型的非晶Si層β的工序，所述i型的非晶Si層α覆蓋相對于所述基板而言光入射的那一個面，所述i型的非晶Si層β覆蓋位于與該一個面相反側的另一個面；
以覆蓋所述非晶Si層β的外表面之中在后面的工序中不導入雜質的區域的方式來形成光致抗蝕劑的工序；
通過利用掩模的離子注入法，將導電型與所述第一導電型相同的部位A以及導電型與所述第一導電型不同的部位B，以內部存在于所述非晶Si層β并且在該非晶Si層β的外表面側暴露出一部分的方式，形成在通過所述光致抗蝕劑而相互分隔的位置的工序；
對離子注入后的所述非晶Si層β進行退火處理的工序；
以覆蓋位于所述非晶Si層β的外表面側的所述部位A、所述部位B以及所述光致抗蝕劑的方式來形成導電性部件的工序；以及
去除被所述導電性部件覆蓋的光致抗蝕劑的工序。
2.根據權利要求1所述的HBC型晶體太陽能電池的制造方法，其中，
使用具有如下開口部形狀的掩模，所述開口部形狀使得當俯視通過所述掩模的開口部而注入離子的部位A或部位B時，能夠看到對該部位A或該部位B的外形進行規定的所述光致抗蝕劑的部位。
3.根據權利要求1或2所述的HBC型晶體太陽能電池的制造方法，其中，
在形成所述光致抗蝕劑的工序之前，依次包括：以覆蓋所述i型的非晶Si層α的方式來形成n型的非晶Si層的工序；以及以覆蓋所述n型的非晶Si層的方式來形成SiN層的工序。
4.根據權利要求1或2所述的HBC型晶體太陽能電池的制造方法，其中，
在形成所述光致抗蝕劑的工序之前，包括以覆蓋所述i型的非晶Si層α的方式來形成n型的非晶Si層的工序，
在形成所述導電性部件的工序之后，包括以覆蓋所述n型的非晶Si層的方式來形成SiN層的工序。
5.根據權利要求1或2所述的HBC型晶體太陽能電池的制造方法，其中，
在形成所述導電性部件的工序之后，包括以覆蓋所述i型的非晶Si層α的方式來形成SiN層的工序。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
