[發明專利]一種大面積非層狀結構NiSe納米薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201710467722.1 | 申請日： | 2017-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN109097742A | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發明（設計）人： | 呂青鋒;金鐘鎬 | 申請（專利權）人： | 寧波菲利特水處理科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/30 | 分類號： | C23C14/30;C23C14/06;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315480 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米薄膜 制備 層狀結構 層狀結構材料 發明制備工藝 固相反應法 光電探測器 納米晶薄膜 晶粒 傳統平面 個數量級 工藝兼容 光探測器 光電流 晶界 構筑 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種大面積非層狀結構NiSe納米薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)NiSe納米薄膜的制備：選擇厚度為50 μm、純度為99.99%的Ni箔在通有10 sccm H2 和20sccm Ar 的低壓氣氛中，450-550 ℃退火25-35 min，去除Ni箔表面的氧化物；退火完 之后，利用電子束蒸發的方法在Ni箔表面沉積ZnSe薄膜，在整個沉積過程中，真空度保持在 1×10-4-3×10-4 Pa；隨后將ZnSe/Ni箔在1.5×10-4-2.5×10-4 Pa的真空度下650-750 ℃退 火25-35 min，得到NiSe納米膜；(2) NiSe納米薄膜的轉移：在50 μm厚的Ni箔表面得到的NiSe納米薄膜上旋涂濃度為 80-120 mg/ml PMMA，旋涂條件為：先在400-600 r/min的轉速下勻膠甩膠5-7 s，然后在 1500-2500 r/min的轉速下。
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