[發明專利]底發射型白光OLED面板的制作方法及其結構

在審

• 申請號: 201710466286.6
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107293555A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 劉方梅;任章淳
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發明涉及OLED顯示技術領域，尤其涉及一種底發射型白光OLED面板的制作方法及其結構。

背景技術

在顯示技術領域，液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)與有機發光二極管顯示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板顯示裝置已經逐步取代陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器。

其中，OLED面板具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。

現有的OLED面板通常包括：基板、置于基板上只作陽極之用的ITO薄膜、置于ITO陽極上的空穴注入層(HIL)、置于空穴注入層上的空穴傳輸層(HTL)、置于空穴傳輸層上的發光層(EML)、置于發光層上的電子傳輸層(ETL)、置于電子傳輸層上的電子注入層(EIL)以及置于電子注入層上的陰極，為了提高效率，發光層通常采用主/客體摻雜系統。

目前，OLED面板的制作有兩種技術路線：一種是紅綠藍(Red、Green、Blue，RGB)三基色OLED發光，其優點是工藝簡單成熟，操作簡便.但由于在制備高分辨率顯示屏時需要高精度掩膜及精確的對位，導致產能較低、成本較高，而且由于RGB三基色OLED的壽命、激發率以及衰減度相差較大，容易造成OLED面板的色偏。

另一種是白光OLED技術，不需要掩膜對位，通常采用底發射型發光方式，極大地簡化了蒸鍍過程，能夠用于制備大尺寸高分辨率OLED面板。

然而，現有的底發射型白光OLED往往需要偏光片(Polarizer)，且各結構層的數量較多，例如遮光層、平坦層、像素定義層等，加上由單獨的一道黃光制程來專門制作陽極，現有的底發射型白光OLED的制作方法需要較多的光罩數目，較繁雜的工序，制備成本較高。

發明內容

本發明的目的在于提供一種底發射型白光OLED面板的制作方法，能夠簡化工序，減少黃光制程道數，節省光罩數量，降低制作成本。

本發明的另一目的在于提供一種底發射型白光OLED面板結構，其結構簡單，制作成本低。

為實現上述目的，本發明首先提供一種底發射型白光OLED面板的制作方法，包括以下步驟：

步驟S1、提供襯底基板并清洗，在所述襯底基板上依次沉積紅色色阻、綠色色阻、及藍色色阻，形成彩膜層；

步驟S2、在所述彩膜層上沉積緩沖層；

步驟S3、在所述緩沖層上沉積氧化物半導體薄膜并進行圖案化處理，形成氧化物半導體層；

步驟S4、在所述氧化物半導體層與緩沖層上依次沉積絕緣薄膜、與第一金屬層；

步驟S5、先對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成柵極，再以所述柵極為自對準圖形來蝕刻絕緣薄膜，形成位于所述柵極下方的柵極絕緣層；所述柵極與柵極絕緣層遮擋部分氧化物半導體層，暴露出氧化物半導體層的兩側；

步驟S6、對所述氧化物半導體層進行整面的等離子體處理，使得所述氧化物半導體層未被所述柵極及柵極絕緣層遮擋的部分電阻降低，形成導體層，而被所述柵極及柵極絕緣層遮擋的部分仍為半導體，形成半導體溝道區；

步驟S7、在所述柵極、導體層、及緩沖層上沉積層間絕緣層并進行圖案化處理，形成貫穿該層間絕緣層以分別暴露出導體層部分表面的源極接觸孔、漏極接觸孔、及像素定義孔；所述源極接觸孔與漏極接觸孔分別位于所述柵極及柵極絕緣層的兩側，所述像素定義孔靠近所述源極接觸孔；

步驟S8、在所述層間絕緣層上沉積第二金屬層并進行圖案化處理，形成源極、及漏極，所述源極經所述源極接觸孔接觸所述導體層，所述漏極經所述漏極接觸孔接觸所述導體層；

所述源極、漏極、柵極、柵極絕緣層、與所述源極接觸的導體層部分、與所述漏極接觸的導體層部分、及半導體溝道區構成薄膜晶體管；

步驟S9、在所述源極、漏極、及層間絕緣層上沉積鈍化層并進行圖案化處理，形成暴露出所述像素定義孔的通孔；

步驟S10、以所述導體層為陽極在所述像素定義孔內沉積白光OLED發光層；

步驟S11、在所述白光OLED發光層與鈍化層上沉積金屬陰極。

所述步驟S2中緩沖層的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

所述步驟S3中氧化物半導體薄膜的材料為銦鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物、銦鎵鋅錫氧化物中的一種，厚度為

所述步驟S4中絕緣薄膜的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為