[發明專利]底發射型白光OLED面板的制作方法及其結構

在審

• 申請號: 201710466286.6
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107293555A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 劉方梅;任章淳
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、提供襯底基板(1)并清洗，在所述襯底基板(1)上依次沉積紅色色阻(R)、綠色色阻(G)、及藍色色阻(B)，形成彩膜層(2)；

步驟S2、在所述彩膜層(2)上沉積緩沖層(3)；

步驟S3、在所述緩沖層(3)上沉積氧化物半導體薄膜并進行圖案化處理，形成氧化物半導體層(4’)；

步驟S4、在所述氧化物半導體層(4’)與緩沖層(3)上依次沉積絕緣薄膜(5’)、與第一金屬層(6’)；

步驟S5、先對所述第一金屬層(6’)進行圖案化處理，形成柵極(6)，再以所述柵極(6)為自對準圖形來蝕刻絕緣薄膜(5’)，形成位于所述柵極(6)下方的柵極絕緣層(5)；所述柵極(6)與柵極絕緣層(5)遮擋部分氧化物半導體層(4’)，暴露出氧化物半導體層(4’)的兩側；

步驟S6、對所述氧化物半導體層(4’)進行整面的等離子體處理，使得所述氧化物半導體層(4’)未被所述柵極(6)及柵極絕緣層(5)遮擋的部分電阻降低，形成導體層(41)，而被所述柵極(6)及柵極絕緣層(5)遮擋的部分仍為半導體，形成半導體溝道區(42)；

步驟S7、在所述柵極(6)、導體層(41)、及緩沖層(3)上沉積層間絕緣層(7)并進行圖案化處理，形成貫穿該層間絕緣層(7)以分別暴露出導體層(41)部分表面的源極接觸孔(71)、漏極接觸孔(72)、及像素定義孔(73)；所述源極接觸孔(71)與漏極接觸孔(72)分別位于所述柵極(6)及柵極絕緣層(5)的兩側，所述像素定義孔(73)靠近所述源極接觸孔(71)；

步驟S8、在所述層間絕緣層(7)上沉積第二金屬層并進行圖案化處理，形成源極(S)、及漏極(D)，所述源極(S)經所述源極接觸孔(71)接觸所述導體層(41)，所述漏極(D)經所述漏極接觸孔(72)接觸所述導體層(41)；

所述源極(S)、漏極(D)、柵極(6)、柵極絕緣層(5)、與所述源極(S)接觸的導體層(41)部分、與所述漏極(D)接觸的導體層(41)部分、及半導體溝道區(42)構成薄膜晶體管(T)；

步驟S9、在所述源極(S)、漏極(D)、及層間絕緣層(7)上沉積鈍化層(9)并進行圖案化處理，形成暴露出所述像素定義孔(73)的通孔(91)；

步驟S10、以所述導體層(41)為陽極在所述像素定義孔(73)內沉積白光OLED發光層(10)；

步驟S11、在所述白光OLED發光層(10)與鈍化層(9)上沉積金屬陰極(11)。

2.如權利要求1所述的底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中緩沖層(3)的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

3.如權利要求1所述的底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S3中氧化物半導體薄膜的材料為銦鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物、銦鎵鋅錫氧化物中的一種，厚度為

4.如權利要求1所述的底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S4中絕緣薄膜(5’)的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

5.如權利要求1所述的底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S4中第一金屬層的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或幾種的層疊組合，厚度為

6.如權利要求1所述的底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S6利用氦氣、或氬氣進行等離子體處理。

7.如權利要求1所述的底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S7中層間絕緣層(7)的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

8.如權利要求1所述的底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S8中第二金屬層的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或幾種的層疊組合，厚度為

9.如權利要求1所述的底發射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟S9中鈍化層(9)的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

10.一種底發射型白光OLED面板結構，其特征在于，包括：

襯底基板(1)；

覆蓋所述襯底基板(1)的彩膜層(2)；

覆蓋所述彩膜層(2)的緩沖層(3)；

設在所述緩沖層(3)上的半導體溝道區(42)、及分別連接所述半導體溝道區(42)兩側的導體層(41)；

覆蓋所述半導體溝道區(42)的柵極絕緣層(5)；

覆蓋所述柵極絕緣層(5)的柵極(6)；

設在所述柵極(6)、導體層(41)、及緩沖層(3)上的層間絕緣層(7)，所述層間絕緣層(7)具有貫穿該層間絕緣層(7)以分別暴露出導體層(41)部分表面的源極接觸孔(71)、漏極接觸孔(72)、及像素定義孔(73)，所述源極接觸孔(71)與漏極接觸孔(72)分別位于所述柵極(6)及柵極絕緣層(5)的兩側，所述像素定義孔(73)靠近所述源極接觸孔(71)；

設在所述層間絕緣層(7)上的源極(S)、與漏極(D)，所述源極(S)經所述源極接觸孔(71)接觸所述導體層(41)，所述漏極(D)經所述漏極接觸孔(72)接觸所述導體層(41)；

設在所述源極(S)、漏極(D)、及層間絕緣層(7)上的鈍化層(9)，所述鈍化層(9)具有暴露出所述像素定義孔(73)的通孔(91)；

設在所述像素定義孔(73)內且以所述導體層(41)為陽極的白光OLED發光層(10)；

以及設在所述白光OLED發光層(10)與鈍化層(9)上的金屬陰極(11)；

所述源極(S)、漏極(D)、柵極(6)、柵極絕緣層(5)、與所述源極(S)接觸的導體層(41)部分、與所述漏極(D)接觸的導體層(41)部分、及半導體溝道區(42)構成薄膜晶體管(T)。