[發明專利]一種多層量子點薄膜的制備方法及光電器件

在審

• 申請號: 201710465818.4
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148735A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;C08J3/24
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種多層量子點薄膜的制備方法及光電器件，其中，方法包括步驟：預先采用量子點溶液制備成第一層量子點薄膜；將第一層量子點薄膜放入HHIC反應器中并通入H₂，H₂電離后形成H等離子，通過H等離子使第一層量子點薄膜中的量子點交聯；在第一層量子點薄膜上依次制備第n層量子點薄膜，每增加一層量子點薄膜，均將疊加形成的n層量子點薄膜放入HHIC反應器中，通過H等離子使每一層量子點薄膜均發生交聯反應，制得預定厚度的n層量子點薄膜；通過本發明可有效解決溶液法制備光電器件中要求不同層之間需滿足溶液正交性的缺陷，從而突破了現有光電器件制備工藝的限制，并且能夠根據需求制備出任意厚度的量子點薄膜。

技術領域

本發明涉及量子點技術領域，尤其涉及一種多層量子點薄膜的制備方法及光電器件。

背景技術

膠體（Colloid）量子點是基于液相分布的納米材料體系，膠體量子點通過不同的制備工藝（旋涂，打印，轉印，涂布等），可制備成量子點薄膜。由于膠體量子點體系中，量子點分散在溶劑中，成膜后溶劑揮發，形成只有量子點堆積的固體薄膜。量子點之間以微弱的范德華力鏈接，在外界作用下（機械力，溶劑等），薄膜形態不能保持，因此膠體量子點的應用受到很大限制。例如在QLED的制備過程中，由于量子點無法交聯，可能被量子點層之上的制備過程用的溶劑沖走，因此限制了QLED的制備工藝和材料選擇，從而制約了QLED的性質和應用。

由于量子點溶液屬于固體懸浮液，為保證成膜的均勻性，所述量子點溶液的濃度不能太大；因此，當需要制備厚度在50nm以上的量子點薄膜時，通常需要通過多層量子點薄膜疊加以滿足所需量子點薄膜的厚度；然而，由于不同量子點薄膜層之間要滿足溶液的正交性，即前一層的量子點不能溶解到下一層的溶劑中，這給制備超厚量子點薄膜帶來了較大的困難。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種多層量子點薄膜的制備方法及光電器件，旨在解決超厚量子點薄膜制備困難的問題。

本發明的技術方案如下：

一種多層量子點薄膜的制備方法，其中，包括步驟：

A、預先采用量子點溶液制備成第一層量子點薄膜；

B、將所述第一層量子點薄膜放入HHIC反應器中并通入H₂，所述H₂電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述第一層量子點薄膜中的量子點交聯；

C、在所述第一層量子點薄膜上依次制備第n層量子點薄膜，每增加一層量子點薄膜，均將疊加形成的n層量子點薄膜放入HHIC反應器中，通過H等離子使每一層量子點薄膜均發生交聯反應，從而制得預定厚度的n層量子點薄膜，所述n大于或等于2。

所述的多層量子點薄膜的制備方法，其中，所述n層量子點薄膜的厚度大于或等于50nm。

所述的多層量子點薄膜的制備方法，其中，所述量子點溶液的濃度小于5%。

所述的多層量子點薄膜的制備方法，其中，所述H等離子的能量為1-100eV。

所述的多層量子點薄膜的制備方法，其中，每一層量子點薄膜的交聯反應時間均為1-30min。

所述的多層量子點薄膜的制備方法，其中，所述n層量子點薄膜中，每一層量子點薄膜中的量子點成分相同，溶劑成分也相同。

所述的多層量子點薄膜的制備方法，其中，所述n層量子點薄膜中，每一層量子點薄膜中的量子點成分不同，溶劑成分相同。

所述的多層量子點薄膜的制備方法，其中，所述n層量子點薄膜中，每一層量子點薄膜中的量子點成分不同，溶劑成分也不相同。