[發明專利]一種多層量子點薄膜的制備方法及光電器件在審
| 申請號： | 201710465818.4 | 申請日： | 2017-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN109148735A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行 | 申請（專利權）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56;H01L51/50;C08J3/24 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子點 薄膜 制備 光電器件 第一層 等離子 反應器 多層 放入 量子點溶液 溶液法制備 交聯反應 有效解決 制備工藝 電離 正交性 量子 疊加 | ||
1.一種多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、預先采用量子點溶液制備成第一層量子點薄膜；
B、將所述第一層量子點薄膜放入HHIC反應器中并通入H2，所述H2電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述第一層量子點薄膜中的量子點交聯；
C、在所述第一層量子點薄膜上依次制備第n層量子點薄膜，每增加一層量子點薄膜，均將疊加形成的n層量子點薄膜放入HHIC反應器中，通過H等離子使每一層量子點薄膜均發生交聯反應，從而制得預定厚度的n層量子點薄膜，所述n大于或等于2。
2.根據權利要求1所述的多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述n層量子點薄膜的厚度大于或等于50nm。
3.根據權利要求1所述的多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點溶液的濃度小于5%。
4.根據權利要求1所述的多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述H等離子的能量為1-100eV。
5.根據權利要求1所述的多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，每一層量子點薄膜的交聯反應時間均為1-30min。
6.根據權利要求1所述的多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述n層量子點薄膜中，每一層量子點薄膜中的量子點成分相同，溶劑成分也相同。
7.根據權利要求1所述的多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述n層量子點薄膜中，每一層量子點薄膜中的量子點成分不同，溶劑成分相同。
8.根據權利要求1所述的多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述n層量子點薄膜中，每一層量子點薄膜中的量子點成分不同，溶劑成分也不相同。
9.根據權利要求1所述的多層量子點薄膜的制備方法，其特征在于，采用旋涂、打印、轉印或涂布的方式，將所述量子點溶液制備成量子點薄膜。
10.一種光電器件，包括一由多層量子點薄膜組成的量子點發光層，其特征在于，所述多層量子點薄膜采用權利要去1-9任意一項所述的方法制備而成。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇
