[發(fā)明專利]一種基于金屬粒子與吸附粒子交聯(lián)的器件封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710465232.8 | 申請日： | 2017-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN109148733B | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 金屬 粒子 吸附 交聯(lián) 器件 封裝 方法 | ||
1.一種基于金屬粒子與吸附粒子交聯(lián)的器件封裝方法，其特征在于，包括步驟：
A、預(yù)先使器件的金屬電極表面與吸附粒子接觸；
B、將所述金屬電極放入HHIC反應(yīng)器中并通入H2，所述H2電離后形成H等離子，通過所述H等離子使金屬電極表層的金屬粒子與吸附粒子、吸附粒子與吸附粒子發(fā)生交聯(lián)，在所述金屬電極表面形成一層封裝薄膜層；
所述吸附粒子為含氫粒子；
所述含氫粒子為H2O、NH3中的一種或兩種；
所述交聯(lián)反應(yīng)時間為1-30min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯(lián)的器件封裝方法，其特征在于，所述金屬電極的材料為Al、Ag、Mg、Au、Pt、Mo、Ni、Cu中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯(lián)的器件封裝方法，其特征在于，所述H等離子的能量為1-100eV。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯(lián)的器件封裝方法，其特征在于，所述H等離子的能量為20-60eV。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯(lián)的器件封裝方法，其特征在于，所述金屬電極的厚度為5-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯(lián)的器件封裝方法，其特征在于，所述金屬電極的厚度為10-60nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯(lián)的器件封裝方法，其特征在于，所述器件為QLED器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
