[發明專利]一種基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法

有效

• 申請號: 201710465232.8
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148733B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，方法包括步驟：預先使器件的金屬電極表面與吸附粒子接觸；將所述金屬電極放入HHIC反應器中并通入H₂，所述H₂電離后形成H等離子，通過所述H等離子使金屬電極上的金屬粒子與吸附粒子發生交聯，在所述金屬電極表面形成一層封裝薄膜層；通過本發明方法可以極大地提高封裝薄膜的致密性，減小封裝薄膜內部的空隙和水氧通過途徑，提升單層封裝薄膜的水氧阻隔效果，從而達到保護器件的目的，延長器件的使用壽命。

技術領域

本發明涉及器件封裝技術領域，尤其涉及一種基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法。

背景技術

半導體量子點（Quantum dot, QDs）具有熒光量子效率高、可見光波段發光可調、色域覆蓋度寬廣等特點。以量子點為發光材料的發光二極管被稱為量子點發光二極管（Quantum dot light-emitting diode, QLED）器件，其具有色彩飽和、能效更高、色溫更佳、壽命長等優點，有望成為下一代固態照明和平板顯示的主流技術。

QLED器件在制備完各種功能層和量子點發光層后，還需對其進行薄膜封裝處理；由于封裝薄膜在微觀上不是致密的，因此需要采用多層不同材料的薄膜堆疊來提高封裝薄膜的水氧阻隔效果；然而，簡單的通過多層薄膜堆疊并不能完全去除薄膜不致密導致的空洞，其水氧阻隔效果仍較差，并且多層薄膜之間的應力阻礙了QLED器件的可撓性等。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，旨在解決現有器件封裝工藝水氧阻隔效果差的問題。

本發明的技術方案如下：

一種基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，包括步驟：

A、預先使器件的金屬電極表面與吸附粒子接觸；

B、將所述金屬電極放入HHIC反應器中并通入H₂，所述H₂電離后形成H等離子，通過所述H等離子使金屬電極上的金屬粒子與吸附粒子發生交聯，在所述金屬電極表面形成一層封裝薄膜層。

所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述吸附粒子為含氫粒子。

所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述吸附粒子為H₂O、CH_4、NH₃中的一種或多種。

所述的基于與金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述金屬電極的材料為Al、Ag、Mg、Au、Pt、Mo、Ni、Cu中的一種或多種。

所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述H等離子的能量為1-100eV。

所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述H等離子的能量為20-60eV。

所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述交聯反應時間均為1-30min。

所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述金屬電極的厚度為5-100nm。

所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述金屬電極的厚度為10-60nm。

所述的基于金屬粒子與吸附粒子交聯的器件封裝方法，其中，所述器件為QLED器件。