[發明專利]量子點與載體交聯的混合薄膜及制備方法與QLED器件

在審

• 申請號: 201710465120.2
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148701A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C08J3/24
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開量子點與載體交聯的混合薄膜及制備方法與QLED器件，方法包括步驟：將量子點與載體混合于溶劑中，得到混合液；通過溶液法將混合液制成含量子點與載體的混合薄膜；通過HHIC技術對含量子點與載體的混合薄膜進行交聯處理，使得量子點與載體之間發生交聯，得到量子點與載體交聯的混合薄膜。本發明利用HHIC技術可使獨立的量子點與載體交聯在一起，得到量子點與載體交聯的混合薄膜。另外，本發明HHIC交聯方法不需要交聯基團，可以大大減少交聯基團對量子點的淬滅，提高量子點的發光效率。此外，由于HHIC交聯過程中產生大量的自由基，自由基可以遷移到雜質上，鈍化雜質對量子點的淬滅，從而進一步提高量子點的發光效率。

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種量子點與載體交聯的混合薄膜及制備方法與QLED器件。

背景技術

膠體（Colloid）量子點是基于液相分布的納米材料體系。膠體量子點通過不同的制備工藝（旋涂、打印、轉印或涂布等），制備量子點多層或單層薄膜。由于膠體量子點體系中，量子點分散在溶劑中，成膜后溶劑揮發，形成只有量子點堆積的固體薄膜。量子點之間以微弱的范德華力鏈接，在外界作用下（機械力，溶劑等），薄膜形態不能保持，因此膠體量子點的應用受到很大限制。例如，在量子點發光二極管（QLED）的制備過程中，由于量子點無法交聯，可能被量子點層上的制備過程用的溶劑沖走，因此限制了QLED的制備工藝和材料選擇，從而制約了QLED的性質和應用。

目前量子點交聯的解決方案主要運用化學方法，即在量子點制備過程中添加化學交聯基團，成膜后通過熱處理或者光處理，使交聯基團反應，從而交聯量子點。此方法的問題是交聯基團通常是化學活性很強的基團，比如：-CH=O和-OH等基團，這些交聯基團會使量子點淬滅，從而影響量子點的發光效率和電子遷移率。其次在含量子點和載體的混合薄膜中，一般載體不和量子點交聯，即只是載體交聯，因為載體有交聯基團。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點與載體交聯的混合薄膜及制備方法與QLED器件，旨在解決現有交聯方法中交聯基團使量子點淬滅，影響量子點發光效率；及含有量子點與載體的混合薄膜中，載體之間容易發生交聯，而載體與量子點之間難以發生交聯的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其中，包括：

步驟A、將量子點與載體混合于溶劑中，得到混合液；

步驟B、通過溶液法將混合液制成含量子點與載體的混合薄膜；

步驟C、通過HHIC技術對含量子點與載體的混合薄膜進行交聯處理，使得量子點與載體之間發生交聯，得到量子點與載體交聯的混合薄膜。

所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其中，所述載體為聚合物和小分子中的一種或兩種。

所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其中，所述聚合物為第一p型半導體材料、第一n型半導體材料、第一絕緣體材料、第一發光材料中的一種或多種；所述小分子為第二p型半導體材料、第二n型半導體材料、第二絕緣體材料、第二發光材料中的一種或多種。

所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其中，所述第一p型半導體材料為PVK、TFB、poly-TPD、P3HT中的一種或多種，所述第一n型半導體材料為OXD-7，所述第一絕緣體材料為PMMA、PVP、PEN、PET中的一種或多種，所述第一發光材料為MEH-PPV。

所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其中，所述第二p型半導體材料為NPB、CBP、TCTA中的一種或多種，所述第二n型半導體材料為Bphen、Alq、Liq中的一種或多種，所述第二絕緣體材料為UGH1，所述第二發光材料為Irppy3、Firpic中的一種或兩種。