[發(fā)明專利]量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜及制備方法與QLED器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710465120.2
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148701A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設計）人: 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C08J3/24
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

步驟A、將量子點與載體混合于溶劑中，得到混合液；

步驟B、通過溶液法將混合液制成含量子點與載體的混合薄膜；

步驟C、通過HHIC技術(shù)對含量子點與載體的混合薄膜進行交聯(lián)處理，使得量子點與載體之間發(fā)生交聯(lián)，得到量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述載體為聚合物和小分子中的一種或兩種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述聚合物為第一p型半導體材料、第一n型半導體材料、第一絕緣體材料、第一發(fā)光材料中的一種或多種；所述小分子為第二p型半導體材料、第二n型半導體材料、第二絕緣體材料、第二發(fā)光材料中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一p型半導體材料為PVK、TFB、poly-TPD、P3HT中的一種或多種，所述第一n型半導體材料為OXD-7，所述第一絕緣體材料為PMMA、PVP、PEN、PET中的一種或多種，所述第一發(fā)光材料為MEH-PPV。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述第二p型半導體材料為NPB、CBP、TCTA中的一種或多種，所述第二n型半導體材料為Bphen、Alq、Liq中的一種或多種，所述第二絕緣體材料為UGH1，所述第二發(fā)光材料為Irppy3、Firpic中的一種或兩種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟A中，所述溶劑為甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、正辛烷、異辛烷、環(huán)己烷、正己烷、正戊烷、異戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟C具體包括：將含量子點與載體的混合薄膜置于HHIC反應器中，通入H₂，并使H₂轉(zhuǎn)變成H等離子，通過H等離子對含量子點與載體的混合薄膜進行交聯(lián)處理，使得量子點與載體之間發(fā)生交聯(lián)，得到量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述H等離子的能量為1~100eV，所述交聯(lián)處理的時間為1~30min。

9.一種量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜，其特征在于，所述量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜采用如權(quán)利要求1~8任一所述的制備方法制備而成。

10.一種QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括如權(quán)利要求9所述的量子點與載體交聯(lián)的混合薄膜。