[發明專利]一種多層陶瓷基板雙面復雜腔體的成型方法

有效

• 申請號: 201710465067.6
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107214828B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 楊沉
• 申請（專利權）人: 綿陽市京果電子科技有限公司
• 主分類號: B28B11/00
• 分類號: B28B11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多層陶瓷基板雙面復雜腔體的成型方法，所述多層陶瓷基板包括若干單層陶瓷基板，多層陶瓷基板具有上面腔體和底面腔體，單層陶瓷基板中包括構成上面腔體的多個上層陶瓷基板，包括構成下層腔體的多個下層陶瓷基板；其特征在于：雙面復雜腔體的成型方法包括以下步驟：

(1)、將多個上層陶瓷基板固定，并在其底部依次設置隔離層和硬質背板層，在其上部鋪設隔離層和軟質填充層；然后預層壓獲得上層陶瓷基板預壓件；

(2)、將多個下層陶瓷基板固定，并在其底部依次設置隔離層和硬質背板層，在其上部鋪設隔離層和軟質填充層；然后預層壓獲得下層陶瓷基板預壓件；

(3)、將上層陶瓷基板預壓件和下層陶瓷基板預壓件疊合，在下層陶瓷基板預壓件的下層腔體內裝入與下層腔體形狀對應的硬質填充塊，在上層陶瓷基板上設置隔離層和軟質填充層，經過終層壓后取出硬質填充塊；

軟質填充層為按重量計的液態硅膠A20份、液態硅膠B30份以及羧甲基纖維素鈉5份、左旋蘋果酸3份的混合物經過70℃烘烤形成的凝膠體。

2.如權利要求1所述的成型方法，其特征在于：所述隔離層為離型膜，所述硬質背板層為硬質金屬背板，所述軟質填充層為具有流動性的軟質硅膠，所述硬質填充塊為高硬度的硅膠填充塊。

3.如權利要求1所述的成型方法，其特征在于：所述預層壓的工作溫度為65℃～75℃，工作壓力為1000PSI～2000PSI。

4.如權利要求1所述的成型方法，其特征在于：所述終層壓的工作溫度為65℃～75℃，工作壓力為2800PSI～3200PSI。

5.如權利要求1所述的成型方法，其特征在于：所述預層壓和終層壓前包括使用真空袋進行真空處理的步驟。

6.如權利要求1所述的成型方法，其特征在于：所述多層陶瓷基板的每個單層陶瓷基板上開設有對應的定位孔，陶瓷基板通過將定位銷插入定位孔內實現固定和對位。

7.如權利要求1所述的成型方法，其特征在于：所述單層陶瓷基板上印刷有導體。

8.一種多層陶瓷基板雙面復雜腔體的成型方法，所述多層陶瓷基板包括若干單層陶瓷基板，多層陶瓷基板具有上面腔體和底面腔體，單層陶瓷基板中包括構成上面腔體的多個上層陶瓷基板，包括構成下層腔體的多個下層陶瓷基板；其特征在于：雙面復雜腔體的成型方法包括以下步驟：

(1)、在每個單層陶瓷基板上打對應的孔作為用于對位和固定的定位孔；

(2)、通過定位孔和定位銷的配合，將多個上層陶瓷基板固定，并在其底部依次設置隔離層和硬質背板層，在其上部鋪設隔離層和軟質填充層，再置于真空袋內抽真空；然后預層壓獲得上層陶瓷基板預壓件；預層壓的工作溫度為65℃～75℃，工作壓力為1000PSI～2000PSI；

(3)、通過定位孔和定位銷的配合，將多個下層陶瓷基板固定，并在其底部依次設置隔離層和硬質背板層，在其上部鋪設隔離層和軟質填充層，再置于真空袋內抽真空；然后預層壓獲得下層陶瓷基板預壓件；預層壓的工作溫度為65℃～75℃，工作壓力為1000PSI～2000PSI；

(4)、將上層陶瓷基板預壓件和下層陶瓷基板預壓件疊合，終層壓前先在下層陶瓷基板預壓件的下層腔體內裝入與下層腔體形狀對應的硬質填充塊，在上層陶瓷基板上設置隔離層和軟質填充層；終層壓完成后取出硬質填充塊；終層壓的工作溫度為65℃～75℃，工作壓力為2800PSI～3200PSI；

軟質填充層為按重量計的液態硅膠A20份、液態硅膠B30份以及羧甲基纖維素鈉5份、左旋蘋果酸3份的混合物經過70℃烘烤形成的凝膠體。