[發明專利]基于噴墨打印技術的像素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201710464655.8
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107195796B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 方俊雄;吳元均;呂伯彥
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;王浩

1.基于噴墨打印技術的像素結構的制作方法，包括以下步驟：

步驟S1：采用金屬氧化物半導體材料在基板上成膜形成陽極層，陽極層圖形化；

步驟S2：在陽極上形成光阻層并圖形化，圖形化的光阻層對陽極層進行局部覆蓋；

步驟S3：對步驟S2中的未被光阻層覆蓋的部分陽極層進行導體化，然后去除光阻層；

步驟S4：在陽極層上形成像素定義層，在像素定義層上形成多個間隔設置的通孔，通孔處陽極層暴露，暴露部分的陽極層為限定出的像素區域；

步驟S5：在步驟S4中所述的像素區域內，噴墨打印形成有機功能層；

其中，被導體化的部分陽極層為導體區，未被導體化的局部陽極層為半導體區，每個所述像素區域中部位置為半導體區。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S1中的金屬氧化物半導體材料為銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵錫鋅氧化物或銦鋁氧化物。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S2中的光阻層由光刻膠涂布形成。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，步驟S2中所述圖形化的光阻層為間隔平行設置的條狀結構。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S3中采用等離子體轟擊或離子注入的方法進行導體化。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S4中所述像素定義層由亞克力系材料或聚酰亞胺樹脂涂布形成。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S5中的有機功能層包括陽極層上依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層和發光層。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，還包括以下步驟：

步驟S6：在步驟5中所述的發光層上依次形成電子傳輸層、電子注入層和陰極層。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述電子傳輸層、電子注入層和陰極層采用蒸鍍方法形成。

10.基于噴墨打印技術的像素結構，其特征在于，根據權利要求1至9中任一項所述的制作方法制得。