[發明專利]一種量子點發光二極管器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201710464619.1
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148649A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

A、在底電極基板表面沉積第一功能層；

B、將所述第一功能層放入HHIC反應器中并通入H₂，所述H₂電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述第一功能層中的溶質成分交聯；

C、在交聯后的第一功能層表面沉積量子點發光層，并通過H等離子使所述量子點發光層中的量子點交聯；

D、在交聯后的量子點發光層表面沉積第二功能層，并通過H等離子使所述第二功能層中的溶質成分交聯；

E、在交聯后的第二功能層上沉積頂電極，制得量子點發光二極管。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，所述H等離子的能量為1-100eV。

3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，所述交聯反應時間均為1-30min。

4.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，所述第一功能層、量子點發光層以及第二功能層中的溶劑成分相同。

5.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，當所述量子點發光二極管器件為反型結構時，所述第一功能層為電子傳輸層、電子注入層或空穴阻擋層中的一種或多種，所述第二功能層為空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層中的一種或多種。

6.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，當所述量子點發光二極管器件為正型結構時，所述第一功能層為空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層中的一種或多種，所述第二功能層為電子傳輸層、電子注入層或空穴阻擋層中的一種或多種。

7.根據權利要求5或6所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為TFB、PVK、poly-TPD、PFB、TCTA、CBP、TPD、NPB、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、C₆₀、NiO、WO₃、MoO₃、CuO中的一種或多種。

8.根據權利要求5或6所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為n型ZnO、TiO₂、SnO、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiFCsCO₃中的一種或多種。

9.根據權利要求1所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其特征在于，所述量子點發光層的材料為II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族單質中的一種或多種。

10.一種量子點發光二極管器件，其特征在于，采用上述權利要求1-9任意一種量子點發光二極管器件的制備方法制備而成。