[發明專利]一種量子點發光二極管器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201710464619.1
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148649A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種量子點發光二極管器件及其制備方法，其中，方法包括步驟：通過H等離子對沉積在陽極基板上的第一功能層進行處理，使所述第一功能層中的溶質成分發生交聯；之后在交聯后的第一功能層中依次沉積量子點發光層、第二功能層和陰極層，并分別對所述量子點發光層和第二功能層進行交聯處理，從而制備出量子點發光二極管；本發明提供的量子點發光二極管器件的制備方法不需要考慮功能層和量子點發光層之間溶劑的正交性問題，極大地擴展了QLED等光電器件的材料選擇和工藝過程；并且本發明方法不會改變交聯基團的性質，也不會產生副產物，極大地提高了QLED器件的穩定性和使用壽命以及發光效率。

技術領域

本發明涉及量子點技術領域，尤其涉及一種量子點發光二極管器件及其制備方法。

背景技術

半導體量子點（Quantum dot, QDs）具有熒光量子效率高、可見光波段發光可調、色域覆蓋度寬廣等特點。以量子點為發光材料的發光二極管被稱為量子點發光二極管（Quantum dot light-emitting diode, QLED）器件，其具有色彩飽和、能效更高、色溫更佳、壽命長等優點，有望成為下一代固態照明和平板顯示的主流技術。

在傳統的QLED器件結構中，除了量子點發光層外，還需要引入兩個電極和在電極與量子點之間添加各種功能層，這些功能層包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等，所述功能層的材料包括有機分子和聚合物等，考慮到溶劑的正交性，現有技術在制備QLED器件的過程中，必須將所述功能層材料溶解到特定的溶劑中，這極大地限制了器件制備過程中對量子點和功能層的選材范圍，阻礙了QLED器件的工藝發展。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管器件及其制備方法，旨在解決現有QLED器件的制備工藝中，對量子點和功能層的選材范圍較小的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點發光二極管器件的制備方法，其中，包括步驟：

A、在底電極基板表面沉積第一功能層；

B、將所述第一功能層放入HHIC反應器中并通入H₂，所述H₂電離后形成H等離子，通過所述H等離子使所述第一功能層中的溶質成分交聯；

C、在交聯后的第一功能層表面沉積量子點發光層，并通過H等離子使所述量子點發光層中的量子點交聯；

D、在交聯后的量子點發光層表面沉積第二功能層，并通過H等離子使所述第二功能層中的溶質成分交聯；

E、在交聯后的第二功能層上沉積頂電極層，制得量子點發光二極管。

所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其中，所述H等離子的能量為1-100eV。

所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其中，所述交聯反應時間均為1-30min。

所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其中，所述第一功能層、量子點發光層以及第二功能層中的溶劑成分相同。

所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其中，當所述量子點發光二極管器件為反型結構時，所述第一功能層為電子傳輸層、電子注入層或空穴阻擋層中的一種或多種，所述第二功能層為空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層中的一種或多種。

所述的量子點發光二極管器件的制備方法，其中，當所述量子點發光二極管器件為正型結構時，所述第一功能層為空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層中的一種或多種，所述第二功能層為電子傳輸層、電子注入層或空穴阻擋層中的一種或多種。