[發明專利]集成電路器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201710464190.6
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107665858B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 廖志騰;邱意為;陳璽中;蔡嘉慶
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/336;H01L23/538;H01L29/78
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成集成電路器件的方法，包括：

在半導體區域上方形成偽柵極堆疊件；

在所述偽柵極堆疊件的側壁上形成第一柵極間隔件；

去除所述偽柵極堆疊件以形成開口；

在所述開口中形成第二柵極間隔件，其中，所述第二柵極間隔件具有接觸所述第一柵極間隔件的第一側壁、與所述第一側壁相對的第二側壁和接觸所述半導體區域的頂面的底面；

在所述開口中形成置換柵極堆疊件，其中，所述第二柵極間隔件的第二側壁接觸所述置換柵極堆疊件的側壁；

使所述置換柵極堆疊件凹進以形成凹槽；

用硬掩模層填充所述凹槽；

去除所述硬掩模層以再生所述凹槽；

用導電材料填充所述凹槽；以及

實施平坦化以去除所述第一柵極間隔件上方的所述導電材料的過量部分，其中，所述導電材料的剩余部分形成了柵極接觸插塞，其中，所述柵極接觸插塞的頂部與所述第一柵極間隔件的頂部處于相同的層級。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，實施所述平坦化直至暴露所述第一柵極間隔件。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，去除所述偽柵極堆疊件包括：

由含氟工藝氣體產生等離子體；

從所述等離子體過濾掉離子并且留下氟自由基；以及

使用所述氟自由基蝕刻所述偽柵極堆疊件的多晶硅層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述半導體區域上方形成所述偽柵極堆疊件包括：

蝕刻偽柵電極層以揭露偽柵極介電層；以及

蝕刻穿過所述偽柵極介電層以暴露所述半導體區域。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述柵極接觸插塞包括接觸所述第一柵極間隔件的側壁的側壁。

6.一種形成集成電路器件的方法，包括：

在半導體區域上方形成偽柵極堆疊件；

在所述偽柵極堆疊件的側壁上形成第一柵極間隔件；

去除所述偽柵極堆疊件以形成開口；

在所述開口中形成置換柵極堆疊件；

使所述置換柵極堆疊件凹進以形成凹槽；

用導電材料填充所述凹槽；以及

實施平坦化以去除所述第一柵極間隔件上方的所述導電材料的過量部分，其中，所述導電材料的剩余部分形成了柵極接觸插塞，其中，所述柵極接觸插塞的頂部與所述第一柵極間隔件的頂部處于相同的層級，

所述方法還包括：

形成具有不同寬度的第一掩模堆疊件和第二掩模堆疊件；

形成光刻膠以覆蓋所述第二掩模堆疊件；

修整所述第一掩模堆疊件的第一寬度；

去除所述光刻膠；

同時進一步修整所述第一掩模堆疊件的所述第一寬度和所述第二掩模堆疊件的第二寬度；以及

使用所述第一掩模堆疊件和所述第二掩模堆疊件作為蝕刻掩模以蝕刻偽柵電極層和偽柵極介電層。