[發明專利]接觸開口及其形成方法

有效

• 申請號: 201710464039.2
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN108122743B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 蕭寒稊;孫志鴻;邱意為;王冠程;蔡釋嚴;陳致宇;吳文成
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

方法包括對第一層的部分實施注入以形成注入區域，并且去除第一層的未注入部分。在去除第一層的未注入部分之后，注入區域保留。之后，對第一層下面的第二層實施蝕刻，其中，注入區域用作蝕刻中的第一蝕刻掩模的部分。去除注入區域。使用第二層蝕刻金屬掩模以形成圖案化的掩模。之后，蝕刻層間電介質以形成接觸開口，其中，圖案化的掩模用作第二蝕刻掩模。本發明的實施例還涉及接觸開口及其形成方法。

技術領域

本發明的實施例涉及接觸開口及其形成方法。

背景技術

在集成電路的制造中，接觸插塞用于連接至晶體管的源極和漏極區域以及柵極。源極/漏極接觸插塞通常連接至源極/漏極硅化物區域，源極/漏極硅化物區域的形成工藝包括在層間電介質中形成接觸開口，沉積延伸至接觸開口內的金屬層，并且之后實施退火以使金屬層與源極/漏極區域的硅/鍺反應。之后，在接觸開口中形成源極/漏極接觸插塞。

在用于形成接觸開口的傳統工藝中，接觸開口的位置由氮化鈦掩模限定，并且在氮化鈦掩模上方形成光刻膠。光刻膠和氮化鈦掩模的組合用作蝕刻掩模以蝕刻層間電介質并且形成接觸開口。

發明內容

本發明的實施例提供了一種形成接觸開口的方法，包括：對第一層的部分實施第一注入以形成第一注入區域；去除所述第一層的未注入部分，其中，在所述去除之后，所述第一注入區域保留；對所述第一層下面的第二層實施第一蝕刻，其中，所述第一注入區域用作所述第一蝕刻中的第一蝕刻掩模的部分；去除所述第一注入區域；使用所述第二層蝕刻金屬掩模以形成圖案化的金屬掩模；以及蝕刻層間電介質以形成接觸開口，其中，所述圖案化的金屬掩模用作第二蝕刻掩模。

本發明的另一實施例提供了一種形成接觸開口的方法，包括：在金屬掩模上方沉積氧化物層；在所述氧化物層上方沉積非晶硅層；將硼注入至所述非晶硅層以形成硼摻雜區域；去除所述非晶硅層的未注入部分；在所述硼摻雜區域上方形成圖案化的光刻膠，其中，所述圖案化的光刻膠包括開口，其中，所述硼摻雜區域的部分暴露于所述開口，并且所述氧化物層的部分暴露于所述開口；蝕刻所述氧化物層的暴露的部分，所述硼摻雜區域的所述部分保護所述氧化物層的部分；去除所述圖案化的光刻膠；去除所述硼摻雜區域；使用所述氧化物層作為第一蝕刻掩模蝕刻所述金屬掩模；以及蝕刻層間電介質以形成接觸開口，其中，所述金屬掩模用作第二蝕刻掩模。

本發明的又一實施例提供了一種形成接觸開口的方法，包括：在金屬掩模上方形成氧化物層；在所述氧化物層上方形成非晶硅層；將硼注入至所述非晶硅層以形成硼摻雜區域；在所述硼摻雜區域上方形成圖案化的光刻膠；使用所述硼摻雜區域和所述圖案化的光刻膠的組合作為蝕刻掩模蝕刻所述氧化物層；以及將蝕刻的氧化物層中的圖案轉移至所述金屬掩模。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1A至圖14是根據一些實施例的晶體管和對應的接觸插塞的形成中的中間階段的頂視圖和截面圖。

圖15示出了根據一些實施例的用于形成接觸插塞的工藝流程。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現本發明的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。