[發明專利]接觸開口及其形成方法

有效

• 申請號: 201710464039.2
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN108122743B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 蕭寒稊;孫志鴻;邱意為;王冠程;蔡釋嚴;陳致宇;吳文成
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成接觸開口的方法，包括：

對第一層的部分實施第一注入以形成第一注入區域；

去除所述第一層的未注入部分，其中，在所述去除之后，所述第一注入區域保留；

在所述第一注入區域上方形成圖案化的光刻膠，對所述第一層下面的第二層實施第一蝕刻，其中，所述第一注入區域用作所述第一蝕刻中的第一蝕刻掩模的部分，當在所述第一蝕刻中蝕刻所述第二層時，所述圖案化的光刻膠和所述第一注入區域的組合用作所述第一蝕刻掩模；

去除所述第一注入區域；

使用所述第二層蝕刻金屬掩模以形成圖案化的金屬掩模；以及

蝕刻層間電介質以形成接觸開口，其中，所述圖案化的金屬掩模用作第二蝕刻掩模。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一層是非晶硅層，并且所述第一注入包括將硼注入至所述非晶硅層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二層包括氧化硅，并且使用含氯工藝氣體對所述第二層實施所述第一蝕刻。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：對所述第一層的額外的部分實施第二注入以形成第二注入區域，其中，在去除所述第一層的所述未注入部分之后，所述第二注入區域保留，并且在所述第二層的所述第一蝕刻中，所述第二注入區域用作所述第一蝕刻掩模的額外的部分。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述接觸開口的底部處形成硅化物區域；以及

用金屬材料填充所述接觸開口以形成接觸插塞。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，當開始蝕刻所述層間電介質時，在所述金屬掩模上方存在所述第二層，并且在所述層間電介質的所述蝕刻期間，去除所述第二層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一注入區域包括：

第一部分，與第一柵極堆疊件的部分重疊；

第二部分，與第二柵極堆疊件的部分重疊；以及

第三部分，將所述第一注入區域的所述第一部分連接至所述第一注入區域的所述第二部分。

8.一種形成接觸開口的方法，包括：

在金屬掩模上方沉積氧化物層；

在所述氧化物層上方沉積非晶硅層；

將硼注入至所述非晶硅層以形成硼摻雜區域；

去除所述非晶硅層的未注入部分；

在所述硼摻雜區域上方形成圖案化的光刻膠，其中，所述圖案化的光刻膠包括開口，其中，所述硼摻雜區域的部分暴露于所述開口，并且所述氧化物層的部分暴露于所述開口；

蝕刻所述氧化物層的暴露的部分，所述硼摻雜區域的所述部分保護所述氧化物層的部分；

去除所述圖案化的光刻膠；

去除所述硼摻雜區域；

使用所述氧化物層作為第一蝕刻掩模蝕刻所述金屬掩模；以及

蝕刻層間電介質以形成接觸開口，其中，所述金屬掩模用作第二蝕刻掩模。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：將硼注入至所述非晶硅層以形成額外的硼摻雜區域，其中，使用不同的光刻膠作為注入掩模注入所述額外的硼摻雜區域和所述硼摻雜區域。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，當開始蝕刻所述層間電介質時，已經去除所述硼摻雜區域。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，去除所述非晶硅層的所述未注入部分包括使用氫氧化銨作為蝕刻劑的蝕刻步驟。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，使用含氯工藝氣體實施所述氧化物層的所述暴露的部分的所述蝕刻。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，在蝕刻所述氧化物層的所述暴露的部分之后，所述氧化物層包括第一溝槽和第二溝槽，并且在所述氧化物層的頂視圖中，所述第一溝槽的邊緣和所述第二溝槽的邊緣分別與所述硼摻雜區域的所述部分的相對邊緣對準。