[發明專利]具有量子點結構的光學器件

在審

• 申請號: 201710460315.8
• 申請日: 2017-06-17
• 公開（公告）號: CN109149363A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 熊軍
• 申請（專利權）人: 熊軍
• 主分類號: H01S5/30
• 分類號: H01S5/30;H01S5/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

為了克服現有的光學器件存在的不足,本發明提供一種具有量子點結構的光學器件，本發明包括勢壘層、量子點層、上表面、分隔層；該具有量子點結構的光學器件可以制造出具有高溫行為、改進特性的寬帶半導體光放大器(SOA)，且可以實現低啁啾放大。

技術領域

本發明涉及一種光學器件領域裝置，尤其是一種可以制造出具有高溫行為、改進特性的寬帶半導體光放大器 (SOA)。且可以實現低啁啾放大的具有量子點結構的光學器件。

背景技術

目前，公知的光學器件構造是 包括勢壘層，量子點層，上表面。該光學器件不能制造出具有高溫行為、改進特性的寬帶半導體光放大器，且難以實現低啁啾放大。

發明內容

為了克服現有的光學器件存在的不足, 本發明提供一種具有量子點結構的光學器件，該具有量子點結構的光學器件可以制造出具有高溫行為、改進特性的寬帶半導體光放大器 (SOA)。且可以實現低啁啾放大。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：本發明包括勢壘層、量子點層、上表面、分隔層。本發明的有益效果是，可以制造出具有高溫行為、改進特性的寬帶半導體光放大器 (SOA)。且可以實現低啁啾放大。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。

圖1是具有量子點結構的光學器件實施例的構造圖。

圖中

1、 勢壘層

2、 量子點層

3、 上表面

4、 分隔層。

具體實施方式

在圖1所示實施例中，本發明包括 勢壘層1、 量子點層2、 上表面3、 分隔層4。在各個勢壘層 1 之間提供了量子點層 2，分隔層 4 沉積在各個勢壘層 1 上，上表面 3 位于器件上。具體實施時，量子點層 2 的各個表面以及勢壘層 1 的各個表面是粗糙的，分隔層 4 的材料對應變場不敏感，或者由于分隔層 4 沉積在勢壘層 1 的粗糙表面上，因而分隔層 4 至少能夠實質上阻擋應變場的效應。

由技術常識可知，本發明可以通過其它的不脫離其精神實質或必要特征的實施方案來實現。上述公開的實施方案，就各方面而言，都只是舉例說明，并不是僅有的。所有在本發明范圍內或在等同于本發明的范圍內的改變均被本發明包含。