[發(fā)明專利]具有量子點結構的光學器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710460315.8 | 申請日： | 2017-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN109149363A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 熊軍 | 申請（專利權）人： | 熊軍 |
| 主分類號： | H01S5/30 | 分類號： | H01S5/30;H01S5/34 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 437300 湖北省咸*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光學器件 量子點結構 寬帶半導體 高溫行為 光放大器 量子點層 分隔層 上表面 勢壘層 放大 制造 改進 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有量子點結構的光學器件，包括 勢壘層、 量子點層、 上表面、 分隔層，其特征是：在各個勢壘層之間提供了量子點層 ，分隔層沉積在各個勢壘層上，上表面位于器件上。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種 具有量子點結構的光學器件，其特征是：量子點層的各個表面以及勢壘層的各個表面是粗糙的。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種 具有量子點結構的光學器件，其特征是：分隔層的材料對應變場不敏感。
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