[發明專利]襯底處理裝置及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201710459088.7
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107863306B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 油谷幸則;檜山真;竹田剛;大橋直史
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/54
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

本發明涉及襯底處理裝置及半導體器件的制造方法。在將不同的處理進行重復從而對膜進行處理的方法中，存在半導體器件的生產率低的問題。提供一種技術，具有：處理襯底的處理容器，向處理容器供給氣體的氣體供給部，控制襯底的溫度的溫度控制部，和裝置控制部，其以進行下述處理的方式進行控制：溫度控制部將襯底維持在第一溫度、并且氣體供給部向處理容器供給氣體，從而形成第一層的處理；及，溫度控制部將襯底維持在不同于第一溫度的第二溫度、并且氣體供給部向處理容器供給氣體，從而形成不同于第一層的第二層的處理。通過本發明，即便在將不同的處理進行重復從而對膜進行處理的方法中，也能提高半導體器件的生產率。

技術領域

本發明涉及襯底處理裝置及半導體器件的制造方法。

背景技術

一般而言，在半導體器件的制造工序中，具有在襯底上形成各種膜、或進行加工等多種工序。在各工序中，使用專用的半導體制造裝置。

近年來，隨著器件(Device)結構的復雜化，存在工序數增加的趨勢。如上文所述，由于是按每個工序而使用專用的半導體制造裝置，因此對于半導體器件的制造而言耗費大量的時間。作為上述專用的半導體制造裝置，例如有專利文獻1中公開的單片裝置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-33946

發明內容

發明所要解決的問題

近年來，作為膜的形成、加工的一個方式，有對不同的膜處理進行重復的方法。例如，有通過將不同材質的層交替層疊從而形成膜的方法。這種情況下，由于各層用一個半導體制造裝置來形成，因此為了在襯底上形成規定層數的膜而將襯底在多個半導體制造裝置間移動。因而，直到形成半導體器件為止需要大量的時間。

因此，本發明的目的在于，即便在將不同的處理進行重復從而對膜進行處理的方法中，也能夠提高半導體器件的生產率。

用于解決問題的手段

為了解決所述問題，提供一種技術，具有：處理襯底的處理容器，向所述處理容器供給氣體的氣體供給部，控制所述襯底的溫度的溫度控制部，和裝置控制部，所述裝置控制部以進行下述處理的方式進行控制：所述溫度控制部將所述襯底維持在第一溫度、并且所述氣體供給部向所述處理容器供給氣體，從而形成第一層的處理；及，所述溫度控制部將所述襯底維持在不同于所述第一溫度的第二溫度、并且所述氣體供給部向所述處理容器供給氣體，從而形成不同于所述第一層的第二層的處理。

發明效果

通過本發明，即便在將不同的處理進行重復從而對膜進行處理的方法中，也能提高半導體器件的生產率。

附圖說明

圖1：是本發明的實施方式涉及的襯底處理裝置的剖面圖。

圖2：是對本發明的實施方式涉及的氣體供給系統進行說明的說明圖。

圖3：是對本發明的實施方式涉及的氣體供給系統進行說明的說明圖。

圖4：是對本發明的實施方式涉及的氣體供給系統進行說明的說明圖。

圖5：是對本發明的實施方式涉及的氣體供給系統進行說明的說明圖。

圖6：是對本發明的實施方式涉及的控制器進行說明的說明圖。

圖7：是本發明的實施方式涉及的襯底處理的成膜順序例。

圖8：是本發明的實施方式涉及的襯底處理的成膜處理的流程例。

圖9：是本發明的實施方式涉及的襯底處理的成膜處理的流程例。

圖10：是對本發明的實施方式涉及的襯底處理裝置的動作進行說明的說明圖。