[發(fā)明專利]襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710459088.7
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107863306B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 油谷幸則;檜山真;竹田剛;大橋直史
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/54
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種襯底處理裝置，具有：

處理襯底的處理容器，

向所述處理容器供給氣體的氣體供給部，和

溫度控制部，其配置于所述襯底的背面?zhèn)惹揖哂校赫{(diào)節(jié)所述襯底的溫度的溫度調(diào)節(jié)部；能夠調(diào)節(jié)所述溫度調(diào)節(jié)部與所述襯底之間的距離的升降部；和從所述襯底的背面?zhèn)燃訜崴鲆r底的燈，

所述襯底處理裝置具有裝置控制部，所述裝置控制部以進(jìn)行下述處理的方式進(jìn)行控制：所述溫度控制部將所述襯底維持在第一溫度、并且所述氣體供給部向所述處理容器供給氣體，從而形成第一層的處理；及，所述溫度控制部將所述襯底維持在不同于所述第一溫度的第二溫度、并且所述氣體供給部向所述處理容器供給氣體，從而形成不同于所述第一層的第二層的處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述氣體供給部具有：

第一原料氣體供給部，其供給包含第一元素的第一原料氣體，

第二原料氣體供給部，其供給包含不同于所述第一元素的第二元素的第二原料氣體，和

反應(yīng)氣體供給部，其供給分別與所述第一原料氣體、所述第二原料氣體反應(yīng)的反應(yīng)氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制部以下述方式進(jìn)行控制：在形成所述第一層的處理中，將所述溫度調(diào)節(jié)部與所述襯底之間的距離設(shè)為規(guī)定距離，在形成所述第二層的處理中，將所述溫度調(diào)節(jié)部與所述襯底之間的距離設(shè)為不同于所述規(guī)定距離的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制部以下述方式進(jìn)行控制：在形成所述第一層的處理中，將向所述燈供給的電力設(shè)為規(guī)定的大小，在形成所述第二層的處理中，使向所述燈供給的電力的大小不同于所述規(guī)定的大小。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制部以下述方式進(jìn)行控制：在形成所述第一層的處理中，將向所述燈供給的電力設(shè)為規(guī)定的大小，在形成所述第二層的處理中，使向所述燈供給的電力的大小不同于所述規(guī)定的大小。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制部以下述方式進(jìn)行控制：在形成所述第一層的處理中，將所述溫度調(diào)節(jié)部與所述襯底之間的距離設(shè)為規(guī)定距離，在形成所述第二層的處理中，將所述溫度調(diào)節(jié)部與所述襯底之間的距離設(shè)為不同于所述規(guī)定距離的距離。

7.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，具有：

將襯底搬入處理容器的工序，

以溫度控制部將所述襯底維持在第一溫度、并且氣體供給部向所述處理容器供給氣體來形成第一層的方式進(jìn)行處理的工序，所述溫度控制部配置于所述襯底的背面?zhèn)惹揖哂校赫{(diào)節(jié)所述襯底的溫度的溫度調(diào)節(jié)部；能夠調(diào)節(jié)所述溫度調(diào)節(jié)部與所述襯底之間的距離的升降部；和從所述襯底的背面?zhèn)燃訜崴鲆r底的燈，和

以所述溫度控制部將所述襯底維持在不同于所述第一溫度的第二溫度、并且所述氣體供給部向所述處理容器供給氣體來形成不同于所述第一層的第二層的方式進(jìn)行處理的工序。