[發(fā)明專利]一種采用三維多孔材料修飾電極檢測(cè)多靈菌的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710458097.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107102046B | 公開(公告)日: | 2019-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 牙禹;謝麗萍;李燾;蔣翠文;閆飛燕;寧德嬌;唐莉;莫磊興;廖潔;何潔;韋良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣西壯族自治區(qū)農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)產(chǎn)品質(zhì)量安全與檢測(cè)技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N27/30 | 分類號(hào): | G01N27/30 |
| 代理公司: | 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279 | 代理人: | 蘭亞君;李秋琦 |
| 地址: | 530007 廣西壯族*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 采用 三維 多孔 材料 修飾 電極 檢測(cè) 多靈菌 方法 | ||
1.一種采用三維多孔材料修飾電極檢測(cè)多靈菌的方法,其特征在于,包含以下操作步驟:
(1)三維介孔泡沫的合成:將十二烷基磺酸鈉溶于鹽酸溶液中,攪拌,加入苯,繼續(xù)攪拌,然后加入正硅酸四乙酯,將所得懸濁液轉(zhuǎn)入高壓反應(yīng)釜中進(jìn)行晶化,冷卻,離心,收集離心后所得固體依次進(jìn)行洗滌、干燥、焙燒,即得到三維介孔泡沫;
(2)三維介孔泡沫修飾碳糊電極的制備:將石墨粉與步驟(1)制備所得三維介孔泡沫混合研磨,所得石墨粉和三維介孔泡沫的混合物加入石蠟油,得到糊狀物,所得糊狀物磨平,拋光即得到三維介孔泡沫修飾碳糊電極;
(3)標(biāo)準(zhǔn)溶液的配制:稱取多靈菌固體制成母液,分別取一定量的母液加入磷酸緩沖溶液中,定容得到一系列不同濃度的待測(cè)標(biāo)準(zhǔn)溶液;
(4)標(biāo)準(zhǔn)曲線的繪制:將三電極系統(tǒng),即三維介孔泡沫修飾碳糊電極為工作電極、飽和甘汞電極為參比電極、鉑絲電極為對(duì)電極的三電極系統(tǒng),插入含有多靈菌標(biāo)準(zhǔn)溶液的電解池中,在攪拌條件下富集,在0.3~1.1V范圍內(nèi)進(jìn)行線掃伏安掃描,記錄0.77±0.02V的氧化峰電流值,利用測(cè)得的氧化峰電流值繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線,計(jì)算得出線性方程;在實(shí)際檢測(cè)多靈菌的過程中,將上述多靈菌標(biāo)準(zhǔn)溶液替換成待測(cè)樣,所得0.77±0.02V的氧化峰電流值帶入所得線性方程中,計(jì)算得出待測(cè)樣中多靈菌的含量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟(1)中按照質(zhì)量比加入的十二烷基磺酸鈉:苯:正硅酸四乙酯=3:0.3:4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟(1)中所述的鹽酸溶液的濃度為0.1mol/L,用量為250±10ml;所述的加入苯,在50℃條件下繼續(xù)攪拌1h后,然后加入正硅酸四乙酯,攪拌12小時(shí)后將所得懸濁液轉(zhuǎn)入高壓反應(yīng)釜中進(jìn)行晶化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟(1)中所述的晶化溫度為150℃,晶化時(shí)間為1天。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟(1)中所述的洗滌為用無水乙醇和水各洗滌2次;所述的干燥溫度為60℃,干燥時(shí)間為1天;所述的焙燒為在500℃下焙燒6小時(shí)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟(2)中所述的石墨粉和三維介孔泡沫按質(zhì)量比40:1混合研磨;所述的石墨粉和三維介孔泡沫的混合物與石蠟油成質(zhì)量比1:0.02。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟(3)中稱取多靈菌固體用乙腈溶解、稀釋、定容配制成濃度為0.1mmol/L的母液;所述的磷酸緩沖溶液為pH=7.0、濃度為0.1mol/L磷酸緩沖溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟(4)中富集300秒。
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