[發(fā)明專利]一種除去氧化石墨烯合成體系中硫酸根雜質(zhì)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710457827.9 | 申請日： | 2017-06-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107285304B | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊曉晶;邵百一;劉盛堂 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京師范大學(xué);北京師大科技園科技發(fā)展有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B32/198 | 分類號(hào)： | C01B32/198 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 張函;王春偉 |
| 地址： | 100875 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 除去 氧化 石墨 合成 體系 硫酸 雜質(zhì) 方法 | ||
1.一種除去氧化石墨烯合成體系中硫酸根雜質(zhì)的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)采用Hummers法或改進(jìn)的Hummers法合成氧化石墨烯，合成結(jié)束后，得到氧化石墨烯合成體系；
(2)將氧化石墨烯合成體系與含有金屬陽離子的水溶液混合，加入密度大于水，且不與水混溶的有機(jī)溶劑，攪拌，得到混合體系，靜置分層；其中所述金屬陽離子能夠與硫酸根形成沉淀。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)之后還包括：將去除硫酸根的氧化石墨烯分離。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬陽離子選自鈣離子、鋇離子、鉛離子、汞離子、鍶離子或銀離子中的一種或多種。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述金屬陽離子為鋇離子。
5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，含有金屬陽離子的水溶液為氫氧化鋇水溶液。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬陽離子相對(duì)于采用Hummers法或改進(jìn)的Hummers法合成氧化石墨烯時(shí)所加入的硫酸根的化學(xué)計(jì)量過量。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑與水在相同溫度下的密度比大于1.3。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑選自氯仿、四氯化碳、二氯甲烷、二氯乙烷中的至少一種。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有金屬陽離子的水溶液與有機(jī)溶劑的體積比為(1-5)：1。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有金屬陽離子的水溶液與氧化石墨烯合成體系的體積比為(5-15)：1。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京師范大學(xué);北京師大科技園科技發(fā)展有限責(zé)任公司，未經(jīng)北京師范大學(xué);北京師大科技園科技發(fā)展有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710457827.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
