[發(fā)明專利]一種除去氧化石墨烯合成體系中硫酸根雜質(zhì)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710457826.4 | 申請日： | 2017-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN107364856B | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊曉晶;邵百一;劉盛堂 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京師范大學(xué);北京師大科技園科技發(fā)展有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | C01B32/198 | 分類號： | C01B32/198 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 張函;王春偉 |
| 地址： | 100875 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 除去 氧化 石墨 合成 體系 硫酸 雜質(zhì) 方法 | ||
1.一種除去氧化石墨烯合成體系中硫酸根雜質(zhì)的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)采用Hummers法或改進(jìn)的Hummers法合成氧化石墨烯，合成結(jié)束后，得到氧化石墨烯合成體系；
(2)將密度大于水，且不與水混溶的有機(jī)溶劑與含有金屬陽離子的水溶液混合，得到硫酸根洗滌液；所述硫酸根洗滌液分為上層水層和下層有機(jī)溶劑層；其中所述金屬陽離子能夠與硫酸根形成沉淀；
(3)將步驟(1)中的氧化石墨烯合成體系輸送到所述硫酸根洗滌液中靠近兩層交界處的水層中，靜置，以使氧化石墨烯合成體系中的氧化石墨烯沉入所述有機(jī)溶劑層中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)之后還包括：將所述氧化石墨烯從所述有機(jī)溶劑層中分離出來。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬陽離子選自鈣離子、鋇離子、鉛離子、汞離子、鍶離子或銀離子中的一種或多種。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述金屬陽離子為鈣離子。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，含有金屬陽離子的水溶液為氫氧化鈣水溶液或懸濁液。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬陽離子相對于采用Hummers法或改進(jìn)的Hummers法合成氧化石墨烯時所加入的硫酸根的化學(xué)計(jì)量過量。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑與水在相同溫度下的密度比大于1.3。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑選自氯仿、四氯化碳、二氯甲烷、二氯乙烷中的至少一種。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中：將步驟(1)中的氧化石墨烯合成體系輸送到距離兩層交界處的高度小于水層高度1/15的位置。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中：將步驟(1)中的氧化石墨烯合成體系輸送到距離兩層交界處的高度小于水層高度1/20的位置。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硫酸根洗滌液上層水層和下層有機(jī)溶劑層的體積比為(0.5-1.5)：1。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硫酸根洗滌液上層水層與氧化石墨烯合成體系的體積比為(1-5)：1。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京師范大學(xué);北京師大科技園科技發(fā)展有限責(zé)任公司，未經(jīng)北京師范大學(xué);北京師大科技園科技發(fā)展有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710457826.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：銅離子石墨烯的制造方法
- 下一篇：雙電層電容器電極用活性炭及其制造方法
