[發明專利]一種陣列基板

在審

• 申請號: 201710456108.5
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN107037658A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 張嘉偉;張占東
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建,張杰

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板。

背景技術

在液晶顯示裝置進行畫面顯示時，每幀畫面的切換是通過柵極線掃描的方式實現的。由于柵極線由金屬材料形成，且金屬材料具有電阻，因此隨著柵極線傳輸距離的增大，柵極線上的電壓會降低，這種現象稱之為壓降。

圖1示出了現有技術中的陣列基板布線示意圖。如圖1所示，包括柵極線101、數據線102、開關元件103、過孔104。隨著像素1、像素2和像素3距離柵極線輸入端的由近至遠，各像素的壓降會發生由低至高的變化。

圖2示出了對應圖1的各像素驅動電壓波形示意圖。在圖2中，V₁表示像素1的壓降，ΔV₁表示像素1的饋通電壓，V₂表示像素2的壓降，ΔV₂表示第像素2的饋通電壓，V₃表示像素3的壓降，ΔV₃表示像素3的饋通電壓，V_gh表示柵極線理想輸入電壓。可見，隨著像素1、像素2和像素3距離柵極線輸入端的由近至遠(即距離掃描信號驅動電路由近及遠)，各像素的壓降會發生由低至高的變化，即V₁＜V₂＜V₃。

現有技術的不足在于：各像素的壓降不一致會造成靠近柵極線輸入端的畫面較亮，遠離柵極線輸入端的畫面較暗，影響面板顯示均一性。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種陣列基板，包括：

襯底，其包括柵極線；

形成于所述襯底上的鈍化層；以及

形成于所述鈍化層上的像素電極層，其包括像素電極的圖案；

其中，沿所述柵極線的輸出近端至輸出遠端的方向，所述像素電極的面積逐漸增大。

在一個實施例中，所述像素電極為具有梳齒的梳狀結構，沿所述柵極線的輸出近端至輸出遠端的方向，所述梳齒的長度相同，寬度逐漸增大。

在一個實施例中，所述像素電極為具有至少兩個梳齒的梳狀結構，同一像素電極的梳齒的寬度相同。

在一個實施例中，所述像素電極的材料為以下任一材料：氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化錫。

在一個實施例中，還包括多個開關元件，每一個開關元件與其對應的像素電極電性連接。

在一個實施例中，所述開關元件為雙柵型薄膜晶體管。

在一個實施例中，所述襯底包括：

基板；

形成于所述基板上的溝道層，其包括多個導電溝道；

形成于所述溝道層和裸露的基板上的第一絕緣層；

對應所述導電溝道形成于所述第一絕緣層上的第一金屬層，其包括所述柵極線的圖案以及所述開關元件的柵極的圖案；

形成于所述第一金屬層和裸露的第一絕緣層上的第二絕緣層；

形成于所述第二絕緣層上的第二金屬層，其包括所述開關元件的源極和漏極的圖案，所述源極和漏極用于連接所述溝道層，所述漏極還用于連接所述像素電極；

形成于所述第二金屬層和裸露的第二絕緣層上的平坦層；以及

形成于所述平坦層上的公共電極層，其上設置有所述鈍化層。

在一個實施例中，所述溝道層還包括設置于所述導電溝道兩端的離子重摻雜區，所述離子重摻雜區包括連接所述漏極的漏極區和連接所述源極的源極區。

在一個實施例中，在所述導電溝道與所述離子重摻雜區之間設置有離子輕摻雜區。

在一個實施例中，所述溝道層的材料為低溫多晶硅。

與現有技術相比，上述方案中的一個或多個實施例可以具有如下優點或有益效果：

應用本發明實施例提供的陣列基板，通過沿柵極線的輸出近端至輸出遠端的方向，像素電極的面積設置為逐漸增大，相應的各像素的存儲電容也逐漸增大，可以使得沿柵極線的輸出近端至輸出遠端的方向，柵極線的壓降一致，進而使得柵極線各個輸出端的輸出電壓一致，提升了面板顯示的均一性。

本發明的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本發明的實施例共同用于解釋本發明，并不構成對本發明的限制。在附圖中：

圖1示出了現有技術中的陣列基板布線示意圖；

圖2示出了對應圖1的各像素驅動電壓波形示意圖；