[發(fā)明專利]一種陣列基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710456108.5
• 申請(qǐng)日: 2017-06-16
• 公開（公告）號(hào): CN107037658A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張嘉偉;張占東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建,張杰

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底，其包括柵極線；

形成于所述襯底上的鈍化層；以及

形成于所述鈍化層上的像素電極層，其包括像素電極的圖案；

其中，沿所述柵極線的輸出近端至輸出遠(yuǎn)端的方向，所述像素電極的面積逐漸增大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為具有梳齒的梳狀結(jié)構(gòu)，沿所述柵極線的輸出近端至輸出遠(yuǎn)端的方向，所述梳齒的長度相同，寬度逐漸增大。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為具有至少兩個(gè)梳齒的梳狀結(jié)構(gòu)，同一像素電極的梳齒的寬度相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極的材料為以下任一材料：氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化錫。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括多個(gè)開關(guān)元件，每一個(gè)開關(guān)元件與其對(duì)應(yīng)的像素電極電性連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述開關(guān)元件為雙柵型薄膜晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底包括：

基板；

形成于所述基板上的溝道層，其包括多個(gè)導(dǎo)電溝道；

形成于所述溝道層和裸露的基板上的第一絕緣層；

對(duì)應(yīng)所述導(dǎo)電溝道形成于所述第一絕緣層上的第一金屬層，其包括所述柵極線的圖案以及所述開關(guān)元件的柵極的圖案；

形成于所述第一金屬層和裸露的第一絕緣層上的第二絕緣層；

形成于所述第二絕緣層上的第二金屬層，其包括所述開關(guān)元件的源極和漏極的圖案，所述源極和漏極用于連接所述溝道層，所述漏極還用于連接所述像素電極；

形成于所述第二金屬層和裸露的第二絕緣層上的平坦層；以及

形成于所述平坦層上的公共電極層，其上設(shè)置有所述鈍化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述溝道層還包括設(shè)置于所述導(dǎo)電溝道兩端的離子重?fù)诫s區(qū)，所述離子重?fù)诫s區(qū)包括連接所述漏極的漏極區(qū)和連接所述源極的源極區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，在所述導(dǎo)電溝道與所述離子重?fù)诫s區(qū)之間設(shè)置有離子輕摻雜區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述溝道層的材料為低溫多晶硅。