[發明專利]形成氧化層的方法

有效

• 申請號: 201710455943.7
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN109148258B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 黃承栩;李瑞珉;張景翔;陳意維;劉瑋鑫;鄒世芳
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種形成氧化層的方法，其包含有下述步驟。首先，提供一基底。接著，處理基底的一表面，以形成一含氧離子的表面。接續，形成一旋轉涂布介電層于基底的含氧離子的表面上。本發明又提供一種形成一氧化層的方法，包含有下述步驟。首先，提供一基底。接著，以過氧化氫處理基底的一表面或者以含氧氣體處理基底的一表面，以形成一含氧離子的表面。接續，形成一旋轉涂布介電層于基底的含氧離子的表面上。

技術領域

本發明涉及一種形成氧化層的方法，尤其是涉及一種以旋轉涂布介電質(Spin-OnDielectric，SOD)制作工藝形成氧化層的方法。

背景技術

現今介電材料的沉積方式大多以旋轉涂布介電質(Spin-On Dielectric，SOD)制作工藝，或者化學氣相沉積法(Chemical vapor deposition，CVD)而為之。采用旋轉涂布介電質制作工藝最重要的考慮因素為，只要適當地調整、改變溶劑(DBE)系統，旋轉涂布介電質制作工藝即可輕易地將流體狀的介電質材料涂布至具有孔洞的基材內，此乃旋轉涂布介電質制作工藝的獨特優勢，因此現階段半導體業界乃以旋轉涂布介電質制作工藝為應用主流。

一般而言，通常在半導體的結構上多將許多不同大小、規格、尺寸的溝槽(Trench)設計于一基材的上方，當以旋轉涂布介電質制作工藝涂布介電質材料于該基材上之后，該介電質材料勢必覆蓋滿該基材表面的不規則凹凸起伏。當旋轉涂布介電質制作工藝完成后，該介電質成型膜中常易造成孔洞(Void)缺陷存在于溝槽偏下方之處。

因此，如何消除成型膜孔洞存在的缺陷，這是本領域具有通常知識者努力的目標。

發明內容

本發明提出一種形成氧化層的方法，其先形成一含氧離子的表面，再形成氧化層于此表面上，以改善所形成的氧化層的填洞品質。

本發明提供一種形成氧化層的方法，包含有下述步驟。首先，提供一基底。接著，處理基底的一表面，以形成一含氧離子的表面。接續，形成一旋轉涂布介電層于基底的含氧離子的表面上。

本發明提供一種形成氧化層的方法，包含有下述步驟。首先，提供一基底。接著，以過氧化氫處理基底的一表面，以形成一含氧離子的表面。接續，形成一旋轉涂布介電層于基底的含氧離子的表面上。

本發明提供一種形成氧化層的方法，包含有下述步驟。首先，提供一基底。接著，以含氧氣體處理基底的一表面，以形成一含氧離子的表面。接續，形成一旋轉涂布介電層于基底的含氧離子的表面上。

基于上述，本發明提出一種形成氧化層的方法，其在形成氧化層之前先以干式或濕式的處理制作工藝處理基底的一表面，以形成一含氧離子的表面，而后形成氧化層于此表面上。如此一來，本發明的用以轉化成氧化層的流體介電質可完全轉換為此氧化層，特別是在凹槽底部的流體介電質可完全轉換為此氧化層。因而，能改善氧化層的填洞能力，防止氧化層中具有孔洞以及改善材質均勻度。

附圖說明

圖1～圖5為本發明優選實施例中形成一氧化層的方法的剖面示意圖；

圖6～圖10為本發明優選實施例中動態隨機存取存儲器元件的剖面示意圖。

主要元件符號說明

1、1’：氧化襯墊層

2、2’：氮化襯墊層

3、3’：旋轉涂布介電層

5、7：氧化硅層

6：氮化硅層

20：埋入式字符線

30、30’：位線柵極

32、32’：位線接觸插塞

32a：間隙壁

34：存儲節點接觸插塞