[發(fā)明專利]形成氧化層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710455943.7
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN109148258B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃承栩;李瑞珉;張景翔;陳意維;劉瑋鑫;鄒世芳
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種形成氧化層的方法，包含有：

提供一基底，其中該基底包含一第一凹槽和一第二凹槽，其中該第一凹槽的開口小于該第二凹槽的開口；

形成一襯墊層順應(yīng)覆蓋該第一凹槽、該第二凹槽和該基底，其中該襯墊層包含雙層結(jié)構(gòu)，其中該襯墊層的該雙層結(jié)構(gòu)填滿該第一凹槽，但部分填入該第二凹槽；

處理該襯墊層的一表面，以形成一含氧離子的表面；

形成一旋轉(zhuǎn)涂布介電層于該襯墊層的該含氧離子的表面上；以及

進(jìn)行退火制作工藝，以固化該旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì)而形成氧化層。

2.如權(quán)利要求1所述的形成氧化層的方法，其中以一濕式前處理制作工藝處理該襯墊層的該表面。

3.如權(quán)利要求1所述的形成氧化層的方法，其中以一干式前處理制作工藝處理該襯墊層的該表面。

4.如權(quán)利要求1所述的形成氧化層的方法，還包含：

在處理該襯墊層的該表面之前，進(jìn)行一粒子移除制作工藝。

5.如權(quán)利要求4所述的形成氧化層的方法，其中該粒子移除制作工藝包含一高壓清洗制作工藝。

6.如權(quán)利要求1所述的形成氧化層的方法，其中該氧化層包含一淺溝槽絕緣層或一層間介電層。

7.一種形成氧化層的方法，包含有：

提供一基底，其中該基底包含一第一凹槽和一第二凹槽，其中該第一凹槽的開口小于該第二凹槽的開口；

形成一襯墊層順應(yīng)覆蓋該第一凹槽、該第二凹槽和該基底，其中該襯墊層包含雙層結(jié)構(gòu)，其中該襯墊層的該雙層結(jié)構(gòu)填滿該第一凹槽，但部分填入該第二凹槽；

以過氧化氫處理該襯墊層的一表面，以形成一含氧離子的表面；

形成一旋轉(zhuǎn)涂布介電層于該襯墊層的該含氧離子的表面上；以及

進(jìn)行退火制作工藝，以固化該旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì)而形成氧化層。

8.如權(quán)利要求7所述的形成氧化層的方法，其中形成該旋轉(zhuǎn)涂布介電層的方法包含進(jìn)行一旋轉(zhuǎn)涂布制作工藝。

9.如權(quán)利要求7所述的形成氧化層的方法，其中該退火制作工藝的制作工藝溫度小于900℃。

10.如權(quán)利要求7所述的形成氧化層的方法，其中該襯墊層包含氧化襯墊層和/或氮化襯墊層。

11.一種形成氧化層的方法，包含有：

提供一基底，其中該基底包含一第一凹槽和一第二凹槽，其中該第一凹槽的開口小于該第二凹槽的開口；

形成一襯墊層順應(yīng)覆蓋該第一凹槽、該第二凹槽和該基底，其中該襯墊層包含雙層結(jié)構(gòu)，其中該襯墊層的該雙層結(jié)構(gòu)填滿該第一凹槽，但部分填入該第二凹槽；

以含氧氣體處理該襯墊層的一表面，以形成一含氧離子的表面；

形成一旋轉(zhuǎn)涂布介電層于該襯墊層的該含氧離子的表面上；以及

進(jìn)行退火制作工藝，以固化該旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì)而形成氧化層。

12.如權(quán)利要求11所述的形成氧化層的方法，其中該含氧氣體包含氧氣或臭氧。

13.如權(quán)利要求11所述的形成氧化層的方法，其中處理該襯墊層的該表面的制作工藝溫度小于500℃。

14.如權(quán)利要求11所述的形成氧化層的方法，其中形成該旋轉(zhuǎn)涂布介電層的方法包含進(jìn)行一旋轉(zhuǎn)涂布制作工藝。

15.如權(quán)利要求11所述的形成氧化層的方法，其中該退火制作工藝的制作工藝溫度小于600℃。

16.如權(quán)利要求11所述的形成氧化層的方法，其中該襯墊層包含含碳氮化襯墊層和/或氮氧化襯墊層。