[發明專利]體聲波諧振器及其制造方法

有效

• 申請號: 201710454610.2
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN107733392B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 李文喆;李在昌;林昶賢;李泰勛;李泰京;金泰潤
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/54;H03H3/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 錢海洋;金光軍

本申請要求于2016年8月11日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0102565號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用包含于此。

技術領域

下面的描述涉及一種體聲波濾波器裝置和制造體聲波濾波器裝置的方法。

背景技術

近來，隨著通信技術的快速發展，已經需要用于在通信裝置中使用的射頻(RF)組件技術以及信號處理技術的進一步發展。

尤其是，隨著朝向無線通信裝置的小型化的趨勢，也已經需要RF組件的小型化技術。例如，通過利用半導體薄膜晶圓制造技術來制造體聲波(BAW)諧振器類型的濾波器已經實現了濾波器的小型化。

BAW諧振器是包括沉積在諸如硅晶圓的半導體基板上的壓電介電材料的薄膜類型元件。BAW諧振器利用壓電介電材料的壓電特性來產生諧振，并且可實現為濾波器。

BAW諧振器可用在諸如移動通信裝置、化學裝置或生物裝置的小且輕的濾波器、振蕩器、諧振元件或聲共振質量傳感器的應用中。

已經研究了用于增強BAW諧振器的特性的各種結構形狀和功能。尤其是，已經進行了用于減小由于溫度變化而導致的裝置特性變化的結構和技術的研究。

發明內容

提供本發明內容在于以簡化形式介紹以下在具體實施方式中進一步描述的選擇的構思。本發明內容不意圖限定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，本發明內容也不意圖用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面，一種體聲波濾波器裝置包括：基板；腔體形成層，設置在所述基板上，以形成腔體；下電極，設置在所述腔體上；壓電層，設置在所述下電極上；上電極，設置在所述壓電層上；及溫度補償層，設置在所述下電極的下面并且設置在所述腔體中。

所述溫度補償層可包括：第一溫度補償層，設置在所述腔體中；第二溫度補償層，設置在所述下電極之下。

所述第一溫度補償層可包含釕(Ru)或鉬(Mo)。

所述腔體形成層可包括：第一犧牲層，設置在第一氧化物層上，所述第一氧化物層設置在所述基板上；第二氧化物層，設置在所述第一犧牲層上；及第二犧牲層，設置在所述第二氧化物層上。

所述腔體可包括：第一腔體部，設置在所述第一犧牲層的中部處；第二腔體部，設置在所述第二犧牲層的中部處。所述第一腔體部和所述第二腔體部可通過所述第二氧化物層劃分。

所述第一腔體部可與所述第二腔體部連通。

所述溫度補償層可設置在所述第一腔體部上。

所述第一犧牲層可包括第一保護壁，所述第一保護壁設置在所述第一腔體部的邊緣處并且包含氧化物，所述第二犧牲層可包括第二保護壁，所述第二保護壁設置在所述第二腔體部的邊緣處并且包含氧化物。

所述上電極可包括：框架層，設置在所述壓電層上；電極層，覆蓋所述壓電層和所述框架層。

所述體聲波濾波器裝置還可包括保護層，所述保護層使所述上電極的一部分和所述下電極的一部分暴露。

所述體聲波濾波器裝置還可包括電極墊，所述電極墊設置在所述上電極和所述下電極的通過所述保護層暴露的所述一部分處。

所述腔體形成層可層壓在所述基板上。

在另一總的方面，一種制造體聲波濾波器裝置的方法包括：在基板的第一氧化物層上形成包括第一保護壁的第一犧牲層；在所述第一犧牲層上形成第二氧化物層；在所述第二氧化物層上形成包括第二保護壁的第二犧牲層；去除所述第二犧牲層的中部和所述第二氧化物層的中部；在所述第一犧牲層的去除了所述第二犧牲層的中部和所述第二氧化物層的中部的部分上形成第一溫度補償層；及在所述第一溫度補償層上形成第二溫度補償層。

所述方法還可包括：在所述第二溫度補償層上形成下電極；形成壓電層，以使所述壓電層設置在所述第二溫度補償層和所述下電極上；及形成上電極，以使所述上電極設置在所述壓電層上。

所述方法還可包括：在形成所述下電極、形成所述壓電層和形成所述上電極之前，使所述第一溫度補償層和所述第二溫度補償層平坦化，以形成平坦表面。形成所述下電極還可包括在所述平坦表面上形成所述下電極。形成所述壓電層還可包括在所述平坦表面上形成所述壓電層。

所述方法還可包括：去除所述上電極的邊緣部和所述壓電層的邊緣部；在所述第二犧牲層、所述下電極、所述壓電層和所述上電極上設置保護層；通過去除所述保護層的一部分使所述上電極的一部分和所述下電極的一部分向外暴露；及在通過去除所述保護層的所述一部分而向外暴露的所述上電極的所述一部分上以及所述下電極的所述一部分上形成電極墊。