[發明專利]體聲波諧振器及其制造方法

有效

• 申請號: 201710454610.2
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN107733392B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 李文喆;李在昌;林昶賢;李泰勛;李泰京;金泰潤
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/54;H03H3/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 錢海洋;金光軍

1.一種體聲波濾波器裝置，包括：

基板；

腔體形成層，設置在所述基板上，以形成腔體；

下電極，設置在所述腔體上；

壓電層，設置在所述下電極上；

上電極，設置在所述壓電層上；及

溫度補償層，設置在所述下電極的下面并且設置在所述腔體中。

2.如權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述溫度補償層包括：第一溫度補償層，設置在所述腔體中；第二溫度補償層，設置在所述下電極之下。

3.如權利要求2所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述第一溫度補償層包含釕或鉬。

4.如權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述腔體形成層包括：

第一犧牲層，設置在第一氧化物層上，所述第一氧化物層設置在所述基板上；

第二氧化物層，設置在所述第一犧牲層上；及

第二犧牲層，設置在所述第二氧化物層上。

5.如權利要求4所述的體聲波濾波器裝置，其中，

所述腔體包括：第一腔體部，設置在所述第一犧牲層的中部處；第二腔體部，設置在所述第二犧牲層的中部處，且

所述第一腔體部和所述第二腔體部通過所述第二氧化物層劃分。

6.如權利要求5所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述第一腔體部與所述第二腔體部連通。

7.如權利要求5所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述溫度補償層設置在所述第一腔體部上。

8.如權利要求5所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述第一犧牲層包括第一保護壁，所述第一保護壁設置在所述第一腔體部的邊緣處并且包含氧化物，所述第二犧牲層包括第二保護壁，所述第二保護壁設置在所述第二腔體部的邊緣處并且包含氧化物。

9.如權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述上電極包括：框架層，設置在所述壓電層上；電極層，覆蓋所述壓電層和所述框架層。

10.如權利要求9所述的體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置還包括：

保護層，使所述上電極的一部分和所述下電極的一部分暴露。

11.如權利要求10所述的體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置還包括：

電極墊，設置在所述上電極和所述下電極的通過所述保護層暴露的所述一部分處。

12.如權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述腔體形成層層壓在所述基板上。

13.一種制造體聲波濾波器裝置的方法，包括：

在基板的第一氧化物層上形成包括第一保護壁的第一犧牲層；

在所述第一犧牲層上形成第二氧化物層；

在所述第二氧化物層上形成包括第二保護壁的第二犧牲層；

去除所述第二犧牲層的中部和所述第二氧化物層的中部；

在所述第一犧牲層的去除了所述第二犧牲層的中部和所述第二氧化物層的中部的部分上形成第一溫度補償層；及

在所述第一溫度補償層上形成第二溫度補償層。

14.如權利要求13所述的方法，所述方法還包括：

在所述第二溫度補償層上形成下電極；

形成壓電層，以使所述壓電層設置在所述第二溫度補償層和所述下電極上；及

形成上電極，以使所述上電極設置在所述壓電層上。

15.如權利要求14所述的方法，所述方法還包括：

在形成所述下電極、形成所述壓電層和形成所述上電極之前，使所述第一溫度補償層和所述第二溫度補償層平坦化，以形成平坦表面，

其中，形成所述下電極還包括在所述平坦表面上形成所述下電極，

其中，形成所述壓電層還包括在所述平坦表面上形成所述壓電層。

16.如權利要求14所述的方法，所述方法還包括：

去除所述上電極的邊緣部和所述壓電層的邊緣部；

在所述第二犧牲層、所述下電極、所述壓電層和所述上電極上設置保護層；

通過去除所述保護層的一部分來使所述上電極的一部分和所述下電極的一部分向外暴露；及

在通過去除所述保護層的所述一部分而向外暴露的所述上電極的所述一部分上以及所述下電極的所述一部分上形成電極墊。