[發明專利]高壓元件

有效

• 申請號: 201710453213.3
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN108630754B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 游焜煌;黃宗義
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

本發明涉及一種高壓元件，包含：一作用層，形成于一基板上，具有一作用層表面；一體區與一阱區，形成于作用層中并連接于作用層表面下方，于兩區連接處形成一PN結；一柵極，形成于作用層表面上；一源極與一漏極，源極形成于體區上的作用層中，漏極形成于阱區上的作用層中；一假性柵極，形成于作用層表面上，且介于柵極與漏極之間；一第一隔絕保護氧化層，形成于柵極、阱區、以及假性柵極之上；一第一導體層，形成于第一隔絕保護氧化層上；一第二隔絕保護氧化層，形成于假性柵極以及阱區之上，且不與第一隔絕保護氧化層相連；以及一第二導體層，形成于第二隔絕保護氧化層上。

技術領域

本發明涉及一種高壓元件，特別涉及通過位于柵極與漏極間的一假性柵極、以及彼此不相連的兩組隔絕保護氧化(Resist Protection Oxide)層與導體層，以降低擊穿發生可能性的高壓元件。

背景技術

參照圖1，其中顯示根據現有技術的高壓元件10，其包含：一基板11；一作用層12，形成于基板11上，其中包含一體區13、與一阱區14；一柵極G，形成于作用層12的表面上；一源極S，形成于體區13上的作用層12中；一漏極D，形成于阱區14上的作用層12中，且于縱向上，堆疊并連接于阱區14與作用層表面121之間；一隔絕保護氧化(Resist ProtectionOxide)層RPO，為一連續結構，形成于柵極G的一部分以及阱區14的一部分上，并延伸至鄰接于漏極D；一硅導體層Ls，形成于隔絕保護氧化層RPO上，于基板11的出平面方向上，硅導體層Ls具有與隔絕保護氧化層RPO相同的投影面積。

參照圖2，其中顯示高壓元件10于操作于不導通的狀況時于作用層12的電場分布曲線C1。根據電場分布曲線C1，其中出現局部過高電場的情形。因此局部過高電場的影響，高壓元件10易出現擊穿，進而限制高壓元件的電壓工作范圍。圖2中縱坐標與橫坐標的數值，為舉例說明，僅為顯示現有技術中局部過高電場的現象。

以下通過具體實施例詳加說明，能夠更容易了解本發明的目的、技術內容、特點及其所達成的功效。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的不足與缺陷，提出一種高壓元件，可使得該高壓元件耐擊穿，提高高壓元件的電壓工作范圍。

為了實現上述目的，就其中一個觀點言，本發明提供了一種高壓元件，其包含：一基板，于一縱向上，具有一上表面；一作用層，形成于基板上，于縱向上，具有相對上表面的一作用層表面，且作用層堆疊并連接于上表面上；一體區，具有一第一導電型，形成于作用層中，且于縱向上，連接于作用層表面下方；一阱區，具有一第二導電型，形成于作用層中，且于縱向上，連接于作用層表面下方，且于一橫向上，與體區連接，且體區與阱區形成一PN結；一柵極，形成于作用層表面上，于縱向上，柵極堆疊并連接于作用層表面上，且PN結位于柵極正下方；一源極，具有第二導電型，形成于體區上的作用層中，且于縱向上，堆疊并連接于體區與作用層表面之間；一漏極，具有第二導電型，形成于阱區上的作用層中，且于縱向上，堆疊并連接于阱區與作用層表面之間；一假性柵極，形成于作用層表面上，且于橫向上，假性柵極介于柵極與漏極之間；一第一隔絕保護氧化層，具有一第一相連層結構，第一相連層結構形成于柵極的一部分、阱區的一部分、以及假性柵極的一部分上，其中位于阱區的一部分上的第一相連層結構，為介于柵極與假性柵極之間；一第一導體層，形成于第一隔絕保護氧化層上；一第二隔絕保護氧化層，具有一第二相連層結構，第二相連層結構形成于假性柵極的一部分以及阱區的一部分上，第二隔絕保護氧化層不與第一隔絕保護氧化層相連，其中于阱區的一部分上的第二相連層結構，介于假性柵極與漏極之間；以及一第二導體層，形成于第二隔絕保護氧化層上，第二導體層不連接于第一導體層。

一實施例中，第一導體層與柵極電氣連接。

一實施例中，該假性柵極，通過與形成柵極的工藝來同步制作；或該第二隔絕保護氧化層，通過與形成第一隔絕保護氧化層的工藝來同步制作；或該第二導體層通過與形成第一導體層的工藝來同步制作。