[發明專利]高壓元件

有效

• 申請號: 201710453213.3
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN108630754B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 游焜煌;黃宗義
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種高壓元件，其特征在于，包含：

一基板，于一縱向上，具有一上表面；

一作用層，形成于該基板上，于該縱向上，具有相對該上表面的一作用層表面，且該作用層堆疊并連接于該上表面上；

一體區，具有一第一導電型，形成于該作用層中，且于該縱向上，連接于該作用層表面下方；

一阱區，具有一第二導電型，形成于該作用層中，且于該縱向上，連接于該作用層表面下方，且于一橫向上，與該體區連接，且該體區與該阱區形成一PN結；

一柵極，形成于該作用層表面上，于該縱向上，該柵極堆疊并連接于該作用層表面上，且該PN結位于該柵極正下方；

一源極，具有該第二導電型，形成于該體區上的該作用層中，且于該縱向上，堆疊并連接于該體區與該作用層表面之間；

一漏極，具有該第二導電型，形成于該阱區上的該作用層中，且于該縱向上，堆疊并連接于該阱區與該作用層表面之間；

一假性柵極，形成于該作用層表面上，且于該橫向上，該假性柵極介于該柵極與該漏極之間；

一第一隔絕保護氧化層，具有一第一相連層結構，該第一相連層結構形成于該柵極的一部分、該阱區的一部分、以及該假性柵極的一部分上，其中位于該阱區的一部分上的該第一相連層結構，介于該柵極與該假性柵極之間；

一第一導體層，形成于該第一隔絕保護氧化層上；

一第二隔絕保護氧化層，具有一第二相連層結構，該第二相連層結構形成于該假性柵極的一部分以及該阱區的一部分上，該第二隔絕保護氧化層不與該第一隔絕保護氧化層相連，其中于該阱區的一部分的該第二相連層結構，介于該假性柵極與該漏極之間；以及

一第二導體層，形成于該第二隔絕保護氧化層上，該第二導體層不連接于該第一導體層；

其中，該源極的一邊緣與該柵極自行對準，且該漏極的一邊緣與該第二隔絕保護氧化層自行對準。

2.如權利要求1所述的高壓元件，其中，該第一導體層與該柵極電氣連接。

3.如權利要求1所述的高壓元件，其中，該假性柵極通過與形成該柵極的工藝來同步制作；或該第二隔絕保護氧化層通過與形成該第一隔絕保護氧化層的工藝來同步制作；或該第二導體層通過與形成該第一導體層的工藝來同步制作。

4.如權利要求1所述的高壓元件，其中，該第二導體層為浮接。

5.如權利要求1所述的高壓元件，其中，通過相同的屏蔽蝕刻形成該第一導體層與該第二導體層以及蝕刻形成該第一隔絕保護氧化層與該第二隔絕保護氧化層，以使該第一導體層與該第二導體層分別自行對準形成于該第一隔絕保護氧化層與該第二隔絕保護氧化層上。

6.如權利要求1所述的高壓元件，其中，于該橫向上，該假性柵極不與該柵極相連。

7.如權利要求1所述的高壓元件，其中，該第二導體層電連接于一第一預設電位，且該假性柵極電連接于一第二預設電位。

8.如權利要求7所述的高壓元件，其中，該第一或第二預設電位，為一接地電位、浮接、或該柵極、該漏極、與該源極其中之一的電位。

9.如權利要求1所述的高壓元件，其中，又包含一局部氧化區，形成于該作用層表面上，該柵極的一部分堆疊于該局部氧化區上，并且該第一隔絕保護氧化層的該第一相連層結構，形成于該柵極的一部分、該局部氧化區的一部分、該阱區的一部分、以及該假性柵極的一部分上，其中位于該阱區的一部分上的該第一相連層結構，介于該柵極與該假性柵極之間。