[發明專利]用于介電阻隔層的襯墊層

有效

• 申請號: 201710451697.8
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN107527996B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: S·納拉亞南;Z·古;N·瓦斯克斯
• 申請（專利權）人: 科洛斯巴股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成集成電路裝置的方法，其包含：

形成上覆于集成電路裝置的金屬層的阻隔層，其中，該阻隔層具有第一厚度并且包含使該金屬層的粒子擴散緩和的介電材料；

形成上覆于該阻隔層并且包括含硅材料的襯墊層，其中，該襯墊層具有第二厚度且該第二厚度小于該阻隔層的該第一厚度；

在該阻隔層中形成使該金屬層曝露的貫孔；以及

形成導電材料在該貫孔中并且接觸該襯墊層。

2.如權利要求1所述的方法，其中，該介電材料包含摻雜氮的碳化物(NDC)。

3.如權利要求1所述的方法，其更包含：

運用化學機械平坦化(CMP)程序以移除該貫孔外部的導電材料；以及

在該襯墊層上終止該化學機械平坦化程序，藉此響應于該化學機械平坦化程序使該阻隔層的介電材料移除緩和。

4.如權利要求1所述的方法，其中，該含硅材料是氮化硅(SiN)。

5.如權利要求1所述的方法，其中，該含硅材料是硅(Si)。

6.如權利要求1所述的方法，其中，該導電材料包含氮化鈦(TiN)。

7.如權利要求1所述的方法，其中，該導電材料是二端記憶體裝置的電極。

8.如權利要求1所述的方法，其更包含：

進行第一程序，其包含將該導電材料的第一部分與該含硅材料的一部分移除的化學機械平坦化(CMP)程序；以及

在該第一程序之后進行第二程序，其包含將氧化物從該導電材料的通過該化學機械平坦化程序所曝露的表面移除、并且將該導電材料的第二部分移除的氟化氫(HF)為基礎的清潔程序，產生該導電材料的清潔頂表面。

9.如權利要求8所述的方法，其中，介于該導電材料的該清潔頂表面與該阻隔層的相鄰頂表面之間的階梯高度差小于五埃。

10.如權利要求8所述的方法，其中，該阻隔層的厚度足以防止該金屬層的粒子穿過該阻隔層的該厚度擴散。

11.如權利要求8所述的方法，其中，該貫孔的高度經選擇而在該貫孔中形成該導電材料期間，緩和該導電材料內空洞的發展。

12.如權利要求8所述的方法，其更包含形成上覆于該導電材料的電阻性切換層。

13.一種形成集成電路裝置的方法，其包含：

形成上覆于二端記憶體裝置的金屬層的阻隔層，其中，該阻隔層包含使該金屬層的粒子擴散緩和的介電材料，該介電材料具有第一厚度；

上覆于該阻隔層形成包含具有相對介電系數值K大于7.0的介電材料的襯墊層，該襯墊層具有小于該第一厚度的第二厚度；

在該阻隔層中形成使該金屬層曝露的貫孔；以及

形成包含導電材料的導體材料在該貫孔中并且接觸該襯墊層，該導體材料在該貫孔內形成二端記憶體裝置的第一端材料。

14.如權利要求13所述的方法，其更包含進行化學機械平坦化(CMP)程序并且移除該導電材料的第一部分、及移除該襯墊材料的一部分、以及在該襯墊層上終止該化學機械平坦化程序。

15.如權利要求13所述的方法，其更包含進行氟化氫(HF)為基礎的清潔程序并且將氧化物從該導電材料移除、將該導電材料的第二部分移除、以及產生該導電材料的已處理頂表面。

16.如權利要求15所述的方法，更包含上覆于該導電材料的該已處理頂表面形成響應于電氣刺激而變更狀態的電阻性切換層，以及其中，該電阻性切換層至少部分包含具有相對介電系數值K大于7.0的該介電材料。