[發明專利]一種制備大面積均勻單層過渡金屬硫屬化合物的方法有效
| 申請號： | 201710451548.1 | 申請日： | 2017-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN107445488B | 公開（公告）日： | 2020-06-16 |
| 發明（設計）人： | 張艷鋒;楊鵬飛;張哲朋 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | C03C17/22 | 分類號： | C03C17/22;C01G39/06;C01G41/00 |
| 代理公司： | 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472 | 代理人： | 陳琳琳;武玥 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 大面積 均勻 單層 過渡 金屬 化合物 方法 | ||
1.一種制備大面積均勻單層過渡金屬硫屬化合物的方法，所述方法包括以下步驟：
1)將尺寸為14cm×6cm的基底進行清洗；
2)在盛放基底的石墨舟上方放置與基底尺寸相同的鉬箔或鎢箔，鉬箔或鎢箔與基底高度差為10～30mm，在相對于基底的氣流上游放置硫屬單質；
3)去除反應腔殘留的空氣，通入氬氣，待氣流穩定后，將硫屬單質和基底分別加熱至100～200℃和680～900℃，之后恒溫10-18分鐘，在基底上生長得到大面積均勻的單層過渡金屬硫屬化合物。
2.根據權利要求1所述的制備大面積均勻單層過渡金屬硫屬化合物的方法，其特征在于，所述基底為鈉鈣玻璃。
3.根據權利要求1所述的制備大面積均勻單層過渡金屬硫屬化合物的方法，其特征在于，所述基底的厚度為2mm。
4.根據權利要求1所述的制備大面積均勻單層過渡金屬硫屬化合物的方法，其特征在于，所述基底的清洗按照如下方式處理：將基底依次置于去離子水、丙酮和異丙醇中進行超聲清洗，隨后用氮氣吹干，完成基底的清洗。
5.根據權利要求1所述的制備大面積均勻單層過渡金屬硫屬化合物的方法，其特征在于，在相對于基底的氣流上游12～15cm放置硫屬單質。
6.根據權利要求1所述的制備大面積均勻單層過渡金屬硫屬化合物的方法，其特征在于，所述硫屬單質的質量為50～150g，所述硫屬單質包括硫或硒。
7.根據權利要求1所述的制備大面積均勻單層過渡金屬硫屬化合物的方法，其特征在于，所述氬氣的流量為50～100sccm。
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